晶圆键合重构海水淡化技术范式。氧化石墨烯-聚酰胺纳米通道键合使脱盐率突破99.99%,反冲洗周期延长至90天。红海浮动平台实测:单日淡水产量1.5万吨,能耗降至2.3kWh/m³。自修复结构修复率达9...
研究所利用其覆盖半导体全链条的科研平台,研究电子束曝光技术在半导体材料表征中的应用。通过在材料表面制备特定形状的测试图形,结合原子力显微镜与霍尔效应测试系统,分析材料的微观力学性能与电学参数分布。在氮...
研究所利用其覆盖半导体全链条的科研平台,研究电子束曝光技术在半导体材料表征中的应用。通过在材料表面制备特定形状的测试图形,结合原子力显微镜与霍尔效应测试系统,分析材料的微观力学性能与电学参数分布。在氮...
科研团队在晶圆键合技术的低温化研究方面取得一定进展。考虑到部分半导体材料对高温的敏感性,团队探索在较低温度下实现有效键合的工艺路径,通过优化表面等离子体处理参数,增强晶圆表面的活性,减少键合所需的温度...
针对晶圆键合过程中的表面预处理环节,科研团队进行了系统研究,分析不同清洁方法对键合效果的影响。通过对比等离子体清洗、化学腐蚀等方式,观察晶圆表面的粗糙度与污染物残留情况,发现适当的表面活化处理能明显提...
电子束曝光是光罩制造的基石,采用矢量扫描模式在铬/石英基板上直接绘制微电路图形。借助多级剂量调制技术补偿邻近效应,支持光学邻近校正(OPC)掩模的复杂辅助图形创建。单张掩模加工耗时20-40小时,配合...
研究所将电子束曝光技术应用于生物传感器的微纳电极制备中,探索其在跨学科领域的应用。生物传感器的电极尺寸与间距会影响检测灵敏度,科研团队通过电子束曝光制备纳米级间隙的电极对,研究间隙尺寸与生物分子检测信...
在电子束曝光与离子注入工艺的结合研究中,科研团队探索了高精度掺杂区域的制备技术。离子注入的掺杂区域需要与器件图形精确匹配,团队通过电子束曝光制备掩模图形,控制离子注入的区域与深度,研究不同掺杂浓度对器...
电子束曝光推动高温超导材料实用化进程,在钇钡铜氧带材表面构筑纳米柱钉扎中心阵列。磁通涡旋精细锚定技术抑制电流衰减,77K条件下载流能力提升300%。模块化双面涂层工艺实现千米级带材连续生产,使可控核聚...
电子束曝光开创液体活检新纪元,在硅基芯片构建纳米级细胞分选陷阱。仿血脑屏障多级过滤结构实现循环肿瘤细胞高纯度捕获,微流控电穿孔系统完成单细胞基因测序。早期检出灵敏度达0.001%,在肺病筛查中较CT检...
围绕电子束曝光的套刻精度控制,科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中,各层图形的对准精度直接影响器件性能,团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法,将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的...
将模拟结果与实际曝光图形对比,不断修正模型参数,使模拟预测的线宽与实际结果的偏差缩小到一定范围。这种理论指导实验的研究模式,提高了电子束曝光工艺优化的效率与精细度。科研人员探索了电子束曝光与原子层沉积...