VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---比较大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（比较高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压、死区电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压。由于稳压二极管并不是每个电压值都有，并且稳压值会存在一定的离散性，所以在选择稳压值时.江西晶体二极管
三极管各区的工作条件：
1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：
2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；
3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。
半导体三极管的好坏检测
a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
PNP三极管销售代理测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:。
滤波器是由电感器和电容器构成的网路，可使混合的交直流电流分开。电源整流器中，即借助此网路滤净脉动直流中的涟波，而获得比较纯净的直流输出。基本的滤波器，是由一个电容器和一个电感器构成，称为L型滤波。所有各型的滤波器，都是L型单节滤波器而成。基本单节式滤波器由一个串联臂及一个并联臂所组成，串联臂为电感器，并联臂为电容器，在电源及声频电路中之滤波器，通用者为L型及π型两种。就L型单节滤波器而言，其电感抗XL与电容抗XC，对任一频率为一常数，其关系为 XL·XC=K2
特殊二极管稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作，即击穿后电压有微小的增加时，击穿电流增加巨大这一特性，使得当电路中电流有波动时，稳压管两端的电压基本不变。稳压管是否被反向击穿，可以借用二极管是否导通的方法来判断，即先断开稳压管，然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压，且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压，则接入稳压管后稳压管反向击穿，两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大，超过了稳压管的承受能力，时间一长将烧坏稳压管。使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿，还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿，然后计算其电流，判断是否处于这个安全范围。若是，则假设成立，不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。 深圳市凯轩业科技为您供应晶体管设计，期待您的光临！
场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。 晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！整流桥二极管直销
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CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容。
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
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