D520M/7DDP微差压控制器.本控制器采用膜片式传感器，可用于中性油、气介质和水。控制器的设定值可调，调理范围0.2…25kPa,工作压力范围0…0.16MPa。
□主要技能功能
工作粘度:<1×10—3m2/S
寿命:105次循环(200VAC/6A阻性)
抗振功能:10m/s2
外壳防护等级:IP54
额外负荷:Vmax=380VACImax=6A(阻性)
Pmax=600VA
环境温度:－10℃～＋55℃
介质温度:稳定工作温度0～＋90℃
重复性差错:≤1.5%
□特色
采用三膜片结构，工作压力高，设定值稳定。
例：选用订货号为0818500的控制器，要求将压力上升至5kPa(上切换值)发出触点信号，其操作步骤参见1.1～1.5。（如图一所示）
1.1松开锁紧器，将产品旋入压力校验台的螺纹接口上，留意必须用扳手夹持传感器的平面部分，***防止开关壳体与传感器发生相对转动。
1.2打开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板中，电缆另一头接上万用表。
1.3将压力加至5kPa，此值可以从规范压力计中读出。
1.4顺时针旋动设定值调理螺杆，使设定值由大变小，直至开关触点在5kPa处切换。
1.5旋紧锁紧器，调理压力校验台的压力，使压力在5kPa上下来回变化，查验压力上升时，触点的切换值是否是5kPa，此值即为要设定的上切换值。其对应的下切换值应是5kPa减
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设定值为上切换值的调整方法选用设定范围在（～）MPa的控制器,要求上限切换值为。松开锁紧器，将控制器旋入校验台的螺纹接口上；打开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板，电缆另一头接上万用表；加压至；顺时针转动设定值调节镙杆，使设定值由大变小，直至微动开关在。旋动锁紧器，调节校验台压力，使其在，校验压力上升时，切换值是否为，此值即为要求设定的上切换值，此值减去切换差（约)即为下切换值。设定值为下切换值的调整方法同样选用设定范围在（～）MPa的控制器，但要求压力下降至(此值为下切换值）发出触点信号。松开锁紧器，将控制器旋入校验台的螺纹接口上；打开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板，电缆另一头接上万用表。加压至；逆时针转动设定值调节镙杆，使设定值由小变大，直至微动开关在。旋动锁紧器，调节校验台压力，使其在，校验压力下降时，切换值是否为，此值即为要求设定的下切换值，此值加上切换差（约)即为上切换值。 福建差压控制器什么价格上海中和自动化供应D520/7DD差压控制器。
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。
应变片式压力传感器测量原理：当压力传感器弹性体在外力的作用下产生形变，附着于弹性体上的电阻应变片随即弯曲，电阻应变片阻值发生变化，再经测量电路将阻值变化转换为电信号（一般为毫伏信号）。弹性体：弹性体即压力传感器外壳，主要材质有铝合金、合金钢、不锈钢。电阻应变片：电阻应变片压力是传感器重要的组成部分，常用的应变片基材采用高分子薄膜材料，应变材质通常为高纯度康铜。电阻应变片通过脱水粘贴在弹性体上，弹性体受力形变，应变片随即跟着形变，从而改变电阻值。测量电路：通过惠斯登电桥把电阻应变片的电阻变化转变为毫伏信号输出。传输电缆：4芯屏蔽电缆，沧正压力传感器为红黑绿白四线，红：电源+，黑：电源-；绿：信号+，白：信号-。上海中和温度控制器询价。
应变式压力传感器是一种通过测量各种弹性元件的应变来间接测量压力的传感器。根据制作材料的不同，应变元件可以分为金属和半导体两大类。应变元件的工作原理基于导体和半导体的“应变效应”，即当导体和半导体材料发生机械变形时，其电阻值将发生变化。当金属丝受外力作用时，其长度和截面积都会发生变化，其电阻值即会发生改变，假如金属丝受外力作用而伸长时，其长度增加，而截面积减少，电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时，长度减小而截面增加，电阻值则会减小。只要测出加在电阻两端的电压的变化，即可获得应变金属丝的应变情况。电子式压力控制器：使用在工控控制要求比较高的系统上。甘肃防爆差压控制器什么价格
压力控制器是工业过程测量与控制系统中控制压力的一种常用仪表，工程中通常称作压力开关。浙江防爆温度控制器咨询报价
霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。浙江防爆温度控制器咨询报价
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