真空镀膜：离子镀：离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。离子镀借助于惰性气体辉光放电，使镀料（如金属钛）气化蒸发离子化，离子经电场加速，以较高能量轰击工件表面，此时如通入二氧化碳、氮气等反应气体，便可在工件表面获得TiC、TiN覆盖层，硬度高达2000HV。离子镀技术较早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP)，该方法可以沉积TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀，1973年又发展出射频离子镀(RFIP)。20世纪80年代又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。离子镀是物理的气相沉积方法中应用较普遍的一种镀膜工艺。真空镀膜的镀层质量好。蚌埠真空镀膜工艺
常用的薄膜制备方式主要有两种，其中一种是物理法气相沉积（PVD），PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学法气相沉积（CVD），主要有常压CVD、LPCVD（低压沉积法）、PECVD（等离子体增强沉积法）等方法。真空镀膜的工艺流程：真空镀膜的工艺流程一般依次为：前处理及化学清洗（材料进行有机清洗和无机清洗）→衬底真空中烘烤加热→等离子体清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜（通入反应气体）。蚌埠真空镀膜工艺真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。
真空镀膜的方法：化学气相沉积：化学气相沉积是一种化学生长方法,简称CVD(ChemicalVaporDeposition)技术。这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片,利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源,借助气相作用或在基片表面的化学反应(热分解或化学合成)生成要求的薄膜。真空镀钛的CVD法中Z常用的就是等离子体化学气相沉积(PCVD)。利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。
真空镀膜：反应磁控溅射法：反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因此对基板材料的限制较少。反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。但是反应磁控溅射在20世纪90年代之前，通常使用直流溅射电源，因此带来了一些问题，主要是靶中毒引起的打火和溅射过程不稳定，沉积速率较低，膜的缺陷密度较高，这些都限制了它的应用发展。真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术。
ALD允许在原子层水平上精确控制膜厚度。而且，可以相对容易地形成不同材料的多层结构。由于其高反应活性和精度，它在精细和高效的半导体领域（如微电子和纳米技术）中非常有用。由于ALD通常在相对较低的温度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物样品时是有用的，并且在使用易于热解的前体时也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以轻松地应用于结构复杂的粉末和形状。 众所周知，ALD工艺非常耗时。例如，氧化铝的膜形成为每个循环0.11nm，并且每小时的标准膜形成量为100至300nm。由于ALD通常用于制造微电子和纳米技术的基材，因此不需要厚膜形成。通常，当需要大约μm的膜厚度时，就膜形成时间而言，ALD工艺是困难的。作为物质限制，前体必须是挥发性的。另外，成膜靶必须能够承受前体分子的化学吸附所必需的热应力。真空镀膜中离子镀的镀层厚度均匀。蚌埠真空镀膜工艺
真空镀膜的操作规程：工作完毕应断电、断水。蚌埠真空镀膜工艺
ALD是一种薄膜形成方法，其中将多种气相原料（前体）交替暴露于基板表面以形成膜。与CVD不同，不同类型的前驱物不会同时进入反应室，而是作为单独的步骤引入（脉冲）和排出（吹扫）。在每个脉冲中，前体分子在基材表面上以自控方式起作用，并且当表面上不存在可吸附位时，反应结束。因此，一个周期中的产品成膜量由前体分子和基板表面分子如何化学键合来定义。因此，通过控制循环次数，可以在具有任意结构和尺寸的基板上形成高精度且均匀的膜。蚌埠真空镀膜工艺
