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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据:晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:ZUI高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。安徽EVG6200键合机

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EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150 mm(200 mm键合室的情况下为200 mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。广西键合机推荐厂家EVG的GEMINI系列是顶及大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。

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目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层发生氧化就会影响键合质量。

EVG®320自动化单晶圆清洗系统用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。特征多达四个清洁站全自动盒带间或FOUP到FOUP处理可进行双面清洁的边缘处理(可选)使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁先进的远程诊断防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

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共晶键合[8,9]是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点,以其作为中间键合介质层,通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此,中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多,通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身,可以降低键合工艺难度,且其液相粘结性好,故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱,故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力,同时钛也具有阻挡扩散层的作用, 可以阻止金向硅中扩散[10,11]。以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。黑龙江键合机联系电话

晶圆级涂层、封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。安徽EVG6200键合机

EVG501晶圆键合机,先进封装,TSV,微流控加工。基本功能:用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于:微流体芯片,半导体器件处理,MEMS制造,TSV制作,晶圆先进封装等。一、简介:EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。二、特征:带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计,便于转换和维护试生产需求:同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计,便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。三、参数:蕞大键合力:20kN,加热器尺寸:150mm。安徽EVG6200键合机

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