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DDR测试基本参数
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1.目前,比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已经高达1600Mbps。对于如此高的速度,从PCB的设计角度来帮大家分析,要做到严格的时序匹配,以满足信号的完整性,这里有很多的因素需要考虑,所有的这些因素都有可能相互影响。它们可以被分类为PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、信号及电源完整性和时序,目前,有很多EDA工具可以对它们进行很好的计算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比较多。显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求DDR压力测试的内容有那些;海南DDR测试销售厂

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8.PCBLayout在实际的PCB设计时,考虑到SI的要求,往往有很多的折中方案。通常,需要优先考虑对于那些对信号的完整性要求比较高的。画PCB时,当考虑以下的一些相关因素,那么对于设计PCB来说可靠性就会更高。1)首先,要在相关的EDA工具里设置好拓扑结构和相关约束。2)将BGA引脚突围,将ADDR/CMD/CNTRL引脚布置在DQ/DQS/DM字节组的中间,由于所有这些分组操作,为了尽可能少的信号交叉,一些的管脚也许会被交换到其它区域布线。3)由串扰仿真的结果可知,尽量减少短线(stubs)长度。通常,短线(stubs)是可以被削减的,但不是所有的管脚都做得到的。在BGA焊盘和存储器焊盘之间也许只需要两段的走线就可以实现了,但是此走线必须要很细,那么就提高了PCB的制作成本,而且,不是所有的走线都只需要两段的,除非使用微小的过孔和盘中孔的技术。终,考虑到信号完整性的容差和成本,可能选择折中的方案。海南DDR测试销售厂DDR在信号测试中解决的问题有那些;

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14.在本发明的一个实施例中,所述相关信号包括dqs信号、clk信号和dq信号,所述标志信号为dqs信号。15.在本发明的一个实施例中,所述根据标志信号对示波器进行相关参数配置,具体包括:16.利用示波器分别采集标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值;17.对标志信号在数据读取和数据写入过程中的电平幅值进行比较,确定标志信号的电平阈值;18.在示波器中配置标志信号的电平阈值。19.在本发明的一个实施例中,所述利用示波器的触发功能将ddr4内存的读写信号进行信号分离,具体包括:20.将标志信号的实时电平幅值与标志信号的电平阈值进行比较;21.将大于电平阈值的标志信号和小于电平阈值的标志信号分别进行信号的分离,得到数据读取和数据写入过程中的标志信号。

这里有三种方案进行对比考虑:一种是,通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔,那么,其返回路径只能通过离此过孔250mils的PCB边缘来提供;第二种是,一根长达362mils的微带线;第三种是,在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图6显示了带有60Ohm的常规线的S-Parameters,从图中可以看出,带有四个地过孔环绕的信号过孔的S-Parameters就像一根连续的微带线,从而提高了S21特性。

由此可知,在信号过孔附近缺少返回路径的情况下,则此信号过孔会增高其阻抗。当今的高速系统里,在时延方面显得尤为重要。 DDR4关于信号建立保持是的定义;

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制定DDR内存规范的标准按照JEDEC组织的定义,DDR4的比较高数据速率已经达到了3200MT/s以上,DDR5的比较高数据速率则达到了6400MT/s以上。在2016年之前,LPDDR的速率发展一直比同一代的DDR要慢一点。但是从LPDDR4开始,由于高性能移动终端的发展,LPDDR4的速率开始赶超DDR4。LPDDR5更是比DDR5抢先一步在2019年完成标准制定,并于2020年在的移动终端上开始使用。DDR5的规范(JESD79-5)于2020年发布,并在2021年开始配合Intel等公司的新一代服务器平台走向商 DDR4规范里关于信号建立保持是的定义;机械DDR测试故障

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对于DDR2-800,这所有的拓扑结构都适用,只是有少许的差别。然而,也是知道的,菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。对于超过两片的SDRAM,通常,是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构,在这些拓扑结构中,只有A和D是适合4层板的PCB设计。然而,对于DDR2-800,所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性,而在DDR3的设计中,特别是在1600Mbps时,则只有D是满足设计的。海南DDR测试销售厂

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