可控硅调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
可控硅调压模块企业商机

可控硅模块的控制方法我们都知道,可控硅模块在电子电气行业中非常受欢迎,它是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,可控硅模块的的应用范围十分的广大。可控硅模块众所周知,任何的设备只有正确操作才能发挥它应有的作用,可控硅模块在使用的时候一定要进行有效的控制才能发挥良好的运行性能。下面,就让正高的小编来给您讲讲控制可控硅模块的有效方法。1可控硅模块控制方法:经过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节,实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程,电压或者是电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0-5V,0-10V,4-20mA三大类十分常见的控制方式。2可控硅模块控制端口和控制线:模块控制端接口有5脚、9脚以及15脚三大类,对应5芯、9芯以及15芯的控制线,使用电压信号的产品只只使用前面五脚端口,别的是空脚,使用电流信号的9脚是信号输入,控制线的屏蔽层铜线要焊接到直流电源地线上,连接的时候不能和别的端子短路,防止不可以正常工作或者是可能烧坏可控硅模块。淄博正高电气锐意进取,持续创新为各行各业提供专业化服务。黑龙江整流可控硅调压模块结构

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必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数:1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)晶闸管关断过电压(换流过电压、空穴积蓄效应过电压)及保护晶闸管从导通到阻断,线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量产生过电压。由于晶闸管在导通期间,载流子充满元件内部。在关断过程中,管子在反向作用下,正向电流下降到零时,元件内部残存着载流子。这些载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流,使残存的载流子迅速消失,这时反向电流减小即diG/dt极大,产生的感应电势很大,这个电势与电源串联,反向加在已恢复阻断的元件上,可导致晶闸管反向击穿。这就是关断过电压(换相过电压)。数值可达工作电压的5~6倍。保护措施:在晶闸管两端并接阻容吸收电路。交流侧过电压及其保护由于交流侧电路在接通或断开时出现暂态过程,会产生操作过电压。高压合闸的瞬间,由于初次级之间存在分布电容。枣庄整流可控硅调压模块品牌淄博正高电气讲诚信,重信誉,多面整合市场推广。

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三相可控硅触发板是以高级工业级单片机为组成的全数字控制、数字触发板,并将电源变压器、脉冲变压器焊装在控制板上。使用灵活,安装简便。电源用变压器,性能稳定可靠。三相同步方案,定制可适应交流5V~380V各种同步电压。4种高性能PID方案,适应不同性质负载,控制精度高,动态特性好。全数字触发,脉冲不对称度≤°,用脉冲变压器触发,脉冲前沿陡度≤。功能、参数设定采用按键操作,故障、报警、界面采用LED数码管显示,操作方便,显示直观。本控制板的所有控制参数均为数字量,无温度漂移变化,运行稳定、工作可靠。强抗干扰能力,采用独特措施,恶劣干扰环境正常运行。通用性强,适用范围宽,控制板适应任何主电路,任何性质负载。手动、自动;稳流、稳压;电位器控制、仪表控制可任意选择和切换。ZKD6通用三相晶闸管数控板直接触发六个10000A以内的晶闸管元件的设备,外接脉冲功放板,适应多于六个晶闸管元件的各种大型可控整流设备。具有完善故障、报警检测和保护功能。实时检测过流、过压、反馈丢失、控制板内部故障。设有开机给定回零、软启动、截流、截压、急停保护。调试简便,数控板调试不用示波器和万用表。

每一块控制板均经过了严格的软件测试、硬件老化,以确保工作稳定可靠。产品名称:通用三相晶闸管数控触发板3.产品型号:ZKD64.适用装置:主要用于电解、电镀、充电、直流电机调速(双闭环)、直流稳压稳流、电加热、电磁铁、交直流电焊机、交流稳压稳流等晶闸管电源设备。名称型号适用范围通用可控整流ZKD6-TY适用于电解,电镀,充电,稳流稳压可控整流装置调压移相ZKD6-YX适用于三(单)相交流调压或整流带电阻,电感负载化工电解ZKD6-HG适用于化工,冶炼行业大电流可控整流装置充放电ZKD6-CF适用于蓄电池充放电装置直流电机调速ZKD6-TS适用于直流电机调速装置发电机励磁ZKD6-LC适用于同步电机励磁装置电动机励磁ZKD6-TC适用于电动机励磁装置电动机软启动ZKD6-RC适用于交流电动机可控硅软启动装置:适用电路①三相全控桥式可控整流电路。②带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。③变压器原边交流调压,副边二极管整流电路。④三相零式整流电路。⑤三相半控桥式可控整流电路。⑥三相交流相控调压电路。⑦三相五柱式双反星形可控硅整流电路。正常使用条件⑴海拔高度不超过2000M。⑵环境温度:-40℃-+50℃。⑶空气大相对湿度不超过90%(在相当于空气温度20±5℃)。淄博正高电气提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。

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使可控硅从断态转入通态的比较低电压上升率,若电压上升率过大,超过了可控硅的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。在可控硅处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当可控硅阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,可控硅误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅安全运行,常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时,避免电容器通过可控硅放电电流过大,造成过电流而损坏可控硅。由于可控硅过流过压能力很差。淄博正高电气生产的产品受到用户的一致称赞。黑龙江整流可控硅调压模块结构

淄博正高电气严格控制原材料的选取与生产工艺的每个环节,保证产品质量不出问题。黑龙江整流可控硅调压模块结构

它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。一、可控硅的结构和特性■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的应用较多。■可控硅有三个电极----阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。其结构示意图和符号见图表-26。■从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表来简单分析可控硅的工作原理。我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。黑龙江整流可控硅调压模块结构

淄博正高电气有限公司是一家从事可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块研发、生产、销售及售后的生产型企业。公司坐落在稷下街道闫家路11号南院,成立于2011-01-06。公司通过创新型可持续发展为重心理念,以客户满意为重要标准。正高电气目前推出了可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块等多款产品,已经和行业内多家企业建立合作伙伴关系,目前产品已经应用于多个领域。我们坚持技术创新,把握市场关键需求,以重心技术能力,助力电子元器件发展。淄博正高电气有限公司研发团队不断紧跟可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块行业发展趋势,研发与改进新的产品,从而保证公司在新技术研发方面不断提升,确保公司产品符合行业标准和要求。可控硅模块,晶闸管模块,可控硅智能模块,晶闸管智能模块产品满足客户多方面的使用要求,让客户买的放心,用的称心,产品定位以经济实用为重心,公司真诚期待与您合作,相信有了您的支持我们会以昂扬的姿态不断前进、进步。

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