湖南离子迁移绝缘电阻测试操作

测量电阻。采用50V的直流偏置电压，用100V的测试电压测试每块板的菊花链网络的绝缘电阻前至少充电60S的时间。偏置电压的极性和测试电压的极性必须随时保持一致。4、在初始的绝缘电阻测量后关闭测试系统，使样品在65±2℃或85±2℃、相对湿度为87+3/-2%RH、无偏压的环境下静置96个小时（±30分钟）。96个小时（±30分钟）的静置期后，在每个菊花链网络和地之间测试绝缘电阻。5、确认所有的测试样品的连接是有效的，每个测试电路对应适当的限流电阻。然后将测试板与电源相连开始进行T/H/B部分的CAF测试。广州维柯信息技术有限公司的高低阻（CAF/TCH）测试系统可以做到多通道导通电阻实时监控测试系统，可监测温度范围：-70℃-200℃，精度± 1℃。湖南离子迁移绝缘电阻测试操作

何谓电化学迁移。金属离子在电场的作用下，电路的阳极和阴极之间会形成一个导电信道产生电解腐蚀(Electrolytic Corrosion。样式如树枝状结构生长，造成不同区域的金属互相连接，进而导致电路短路。ECM现象好发于电路板上。造成电化学迁移(ECM)比较大因素造成ECM形成的比较大因素为「电解质层形成」，电解质层的形成会产生自由离子进而增加导电率。而会加速电解质层形成的原因大多为湿度、温度、汗水、环境中的污染物、助焊剂化学物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何预防电解质层形成极为重要。江西多功能电阻测试系统通过表面绝缘电阻（SIR）测试数据可以直接反映PCB的清洁度。

电阻表面枝晶状迁移物SEM放大形貌和EDS能谱分析见图2所示，枝晶状迁移物由一端电极往另一端电极方向生长，图2(b)EDS测试结果表明枝晶状迁移物主要含有Sn，Pb等元素，局部区域存在Cl元素，此产品生产中采用的SnPb焊料为Sn63Pb37，说明SnPb焊料中的Sn，Pb金属元素发生电化学迁移导致枝晶的生长，连通电阻两极，导致电阻短路失效。对失效电阻样品表面迁移物区域和原工艺生产用SnPb焊料取样进行离子色谱分析，所得的结果如表1所示。从表1中可以得出失效电阻表面存在Cl-的含量为1.403mg/cm2。目前行业内为避免印刷电路板发生腐蚀和电化学迁移而导致失效，控制表面残留的Cl-含量不高于0.5mg/cm2。但本案中的失效样品表面所测的Cl-含量明显超出了行业规范的要求，Cl-可以诱导阳极金属表面钝化膜的破裂，诱发局部腐蚀。

电子元器件失效分析项目1、元器件类失效电感、电阻、电容：开裂、破裂、裂纹、参数变化2、器件/模块失效二极管、三极管、LED灯3、集成电路失效DIP封装芯片、PGA封装芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封装芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分层、阻焊膜脱落、发黑，迁移氧化，腐蚀，开路，短路、CAF短时失效；板面变色，锡面变色，焊盘变色；孔间绝缘性能下降；深孔开裂；爆板等PCBA（ENIG、化镍沉金、电镀镍金、OSP、喷锡板）焊接不良；端子（引脚）上锡不良，表面异物、电迁移、元件脱落等5、DPA分析电阻器/电容器/热敏电阻器/二极管等电子元器件可靠性验证服务操作方便：充分考虑实验室应用场景，方便工程师实施工作。

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通过手工、动态和静态三种方法萃取板表面的任何残留物。通常是将整个板子浸入溶液中，然后测量这种萃取物的电阻率，测量值由板子表面所有可溶性离子种类的离子含量决定。每种萃取方法在如何准确地实现这一过程上各不相同。通常，**测试电阻率是不够的，因为它不能区分是哪些离子导致萃取电阻率下降。为了评估哪些离子存在，必须进行额外的离子色谱检测。通过允许操作人员从过程中识别离子含量的来源，来完成测试。此外，过程控制从组装工艺的开始就要进行，线路板和元器件的进厂清洁度与组装的**终清洁度同样重要。这也可以通过一种能够在较小规模上从表面萃取的测试方法更有效地实现。根据客户实际需求定制，比如接入对应ERP系统。浙江sir电阻测试销售厂家

表面绝缘电阻（SIR）测试可以用来评估金属导体之间短路或者电流泄露造成的问题。湖南离子迁移绝缘电阻测试操作

可靠性试验中，有一项，叫做高加速应力试验(简称HAST)，主要是在测试IC封装体对温湿度的抵抗能力，藉以确保产品可靠性。这项试验方式是需透过外接电源供应器，将DC电压源送入高压锅炉机台设备内，再连接到待测IC插座(Socket)与测试版(HASTboard)，进行待测IC的测试。然而这项试验，看似简单，但在宜特20多年的可靠性验证经验中，却发现客户都会遇到一些难题需要克服。特别是芯片应用日益复杂，精密度不断提升，芯片采取如球栅数组封装(Ball Grid Array，简称BGA)和芯片尺寸构装(Chip Scale package，简称CSP）封装比例越来越高，且锡球间距也越来越小，在执行HAST时，非常容易有电化学迁移(简称ECM）现象的产生，造成芯片于可靠性实验过程中发生电源短路异常。湖南离子迁移绝缘电阻测试操作

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