在微纳加工过程中，薄膜的组成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。微纳结构器件是系统重要的组成部分，其制造的质量、效率和成本直接影响着行业的发展。陕西微纳加工设备
微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术。微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺。本文主要介绍微纳加工的平面工艺，平面工艺主要可分为薄膜工艺、图形化工艺（光刻）、刻蚀工艺。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台，面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域，致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备，建立了一条实验室研发线和一条中试线，加工尺寸覆盖2-6英寸（部分8英寸），同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务，面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享，为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。 陕西微纳加工机械微加工是微纳制造中较方便，也较接近传统材料加工方式的微成型技术。
微纳加工氧化工艺是在高温下，衬底的硅直接与O2发生反应从而生成SiO2，后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面，继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度，生成1个单位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445单位厚度的Si衬底；相对CVD工艺而言，氧化工艺可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于与其他材料制作更加牢固可靠的结构层，提高MEMS器件的可靠性。同时致密的SiO2薄膜有利于提高与其它材料的湿法刻蚀选择比，提高刻蚀加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同时氧化工艺一般采用传统的炉管设备来制作，成本低，产量大，一次作业100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以内。
微纳加工-薄膜沉积与掺杂工艺。在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。真空蒸镀，简称蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料（或称膜料）并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。 微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺！
广东省科学院半导体研究所致力于推动微纳加工技术的研发与产业化，为欧洲的微纳产品制造商及设备供应商提供技术支撑，帮助他们在关键技术领域建立、维持全球地位。 广东省科学院半导体研究所发布的微纳加工技术前景展望总结了其战略研究议程(SRA)的要点，确定出微纳加工发展的新趋势，为维持和进一步增强欧洲工业在微纳加工技术领域中的地位，提供了未来投资和研发战略指导。从短期来看，微纳加工技术不会对环境和能源成本产生重大的影响。受到当前加工技术的限制，这些技术在早期的发晨阶段往往会有较高的能源成本。与此同时，微纳加工一旦成熟，将会消耗更少的能源与资源，就此而言，微纳加工无凝是一项令人振奋的技术。例如，与去除边角料获得终产品不同的是，微纳加工采用的积层法将会使得废料更少。微纳加工技术的特点多学科交叉。绍兴激光微纳加工
干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。陕西微纳加工设备
光刻是微纳加工技术中关键的工艺步骤，光刻的工艺水平决定产品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过光刻板照射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用显影液洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了图形从光刻板到基底的转移。光刻胶分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺，区别在于两者使用的光刻胶的类型不同。负性光刻使用的光刻胶在曝光后会因为交联而变得不可溶解，并会固化，不会被溶剂洗掉，从而该部分硅片不会在后续流程中被腐蚀掉，负性光刻光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。陕西微纳加工设备
广东省科学院半导体研究所是国内一家多年来专注从事微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务的老牌企业。公司位于长兴路363号，成立于2016-04-07。公司的产品营销网络遍布国内各大市场。公司主要经营微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务等产品，我们依托高素质的技术人员和销售队伍，本着诚信经营、理解客户需求为经营原则，公司通过良好的信誉和周到的售前、售后服务，赢得用户的信赖和支持。公司与行业上下游之间建立了长久亲密的合作关系，确保微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务在技术上与行业内保持同步。产品质量按照行业标准进行研发生产，绝不因价格而放弃质量和声誉。芯辰实验室,微纳加工秉承着诚信服务、产品求新的经营原则，对于员工素质有严格的把控和要求，为微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务行业用户提供完善的售前和售后服务。
