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激光二极管基本参数
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激光二极管企业商机

3.二极管原理二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场。1)当二极管两侧的外加电压等于零时,由于PN结两边载流子的浓度差起打散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。2)当二极管两侧加正向偏置电压时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。大多数二极管都是利用的二极管的正向导电性原理制成的,例如肖特基二极管、发光二极管等。3)当二极管两侧加有反向偏置电压时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Io。激光二极管具:有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点。河南什么是激光二极管

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③由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,保证器件工作在一定的温度范围之内。④为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管。激光二极管的特色之一,是能直接从电流调制其输出光的强弱,因为输出光功率与输入电流之间多为线性关系。实际应用中,通常使用APC(AutoPowerControl自动功率控制)电路来驱动激光二极管,其利用内置在同一封装内部,使之能够接收到来自LD光的光电二极管PD用于反馈和监视LD管的输出,,使该激光管LD的输出达到恒定所需的光功率。安徽激光二极管商家可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。

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DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段内,**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟,国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构,有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅,采用一些特殊的设计,如:波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构,提高器件性能。生产技术中,金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备,对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。

其它类型LD光模块激光二极管内置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制电路、驱动电路,输出光信号。其体积小,可靠性高,使用方便,在城域网、同步传输系统、同步光纤网络中都大量采用2.5Gb/s光发射模块,10Gb/s、40Gb/s处于初期试用阶段,向高速化、低成本、微型化发展。利用高分子材料Polymer折射率随温度变化特性,加热器改变高分子材料光栅温度,引发其折射率和光栅节距变化,使其反射波长改变。已研制出Polymer-AWG波长可调的集成模块,有16个波长通道,波长间隔200GHz,插损8--9dB,串扰-25dB。用一个高速调制器对每个波长进行时间调制的多波长LD正处于研制阶段。这是一种全新的多波长和波长可编程光源。产生激光的三个条件是:实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。

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④在较高温度下工作,会增大阀值电流,较低转化频率,加速器件的老化。在调整光输入量时,要用光功率表检测,防止超过大额定输出。⑤输出功率高于指定参数工作,会加速元件老化。⑥机器需要充分散热或在制冷条件下使用,激光二极管的温度严格控制在20度以下,保证寿命。⑦激光二极管属于ESD静电敏感器件,在人体有良好的情况下才可以拿取,防静电可以采用防静电手镯的方法。⑧激光器的输出波长受工作电流与散热的影响,要保持良好的散热条件,降低工作时管芯的温度。加散热器防止激光二极管在工作中温升过高。半导体激光二极管的工作原理,理论上与气体激光器相同。.安徽激光二极管商家

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