菏泽小功率可控硅模块生产厂家

可控硅模块的接线方法

可控硅模块在电力工业中占有重要地位。很多人知道可控硅模块的优点和使用方法，但不知道如何连接可控硅模块。我们来谈谈可控硅模块的连接方法。

单个晶闸管反向并联。记得增加RC保护电路。控制交流电，单向晶闸管一定要反向并联，因此2和3应短接使用。

可控硅的介绍：

这是一种由三个晶闸管引起的共正晶闸管模块，主要用于三相半波整流电路。

或者三相全控桥可以由一个普通的负三相半波整流器构成。

调速器：红色，蓝色，黑色，3根电线，红色电池正极，黑色电池负极，蓝色连接电机负极，电机正极带一根线到电池正极。 淄博正高电气有限公司不断完善自我，满足客户需求。菏泽小功率可控硅模块生产厂家

可控硅模块的设备与维护

（1）在模块导热底板表面与散热器外表各均匀涂覆一层导热硅脂，然后用四个螺钉把模块固定于散热器上，固定螺钉不要一次拧紧，几个螺钉要顺次固定，用力要均匀，重复几回，直至强健，使模块底板与散热器外表严密触摸。

（2）把散热器和风机按需求安装好后，笔直固定于机箱合适方位。

（3）用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，然后套上绝缘热缩管，用热风加热缩短。将接线端头固定于模块电极上，并坚持超卓的平面压力触摸，阻止将电缆铜线直接压接在模块电极上。  

（4）为延伸商品运用寿数，主张每隔3-4个月维护一次，替换一次导热硅脂，铲除外表尘土，紧固各压线螺钉。 菏泽小功率可控硅模块生产厂家淄博正高电气有限公司欢迎朋友们指导和业务洽谈。

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

  由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化

可控硅元件在电气设备中发挥重大作用，但可控硅使用中必须要注意运行环境和相关指标，防止可控硅损坏而影响到设备的正常使用。对此，在选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。

4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。

6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

正高可控硅拥有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，受到了众多客户的喜爱和欢迎。目前，正高可控硅以其稳定的性能等特点，应用于各行业，**省内外地区。 

可控硅模块的分类   

可控硅模板从X芯片上看，可以分为可控模块和整流模块两大类，从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。 淄博正高电气有限公司尊崇团结、信誉、勤奋。天津大功率可控硅模块

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过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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