下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管模块的一具体实施方式的平面示意图。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。如图1所示,本发明的立式晶闸管模块包括:外壳1、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中,任一所述接头均可与电力系统中一路电路相连接,并在晶闸管单元的控制下对所在电路进行投切控制。所述晶闸管单元包括:压块7、门极压接式组件8、导电片9、第二导电片10、瓷板11。其中,所述压块7设置于所述门极压接式组件8上,并通过所述门极压接式组件8对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11施加压合作用力,所述导电片9、第二导电片10、瓷板11依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述导电片9、第二导电片10、瓷板11与铜底板3的固定连接。正高电气多方位满足不同层次的消费需求。江苏稳流模块配件
所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述导电片9、第二导电片10、瓷板11进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的导电片9、第二导电片10、瓷板11进行固定。所述第二晶闸管单元包括:第二压块12、第二门极压接式组件13、第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17。其中,所述第二压块12设置于所述第二门极压接式组件13上,并通过所述第二门极压接式组件13对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17施加压合作用力,所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17依次设置于所述铜底板3上。为了实现所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17与铜底板3的固定连接,所述铜底板3上涂覆有硅凝胶,所述硅凝胶对所述第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行包覆固定。从而,所述铜底板3通过所述硅凝胶实现对位于其上的第三导电片14、钼片15、银片16、铝片17进行固定。进一步地,所述接头4包括:螺栓和螺母,所述螺栓和螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。相应地,所述第二接头5包括:第二螺栓和第二螺母,所述第二螺栓和第二螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。所述第三接头6包括:第三螺栓和第三螺母。江苏稳流模块配件正高电气公司在多年积累的客户好口碑下,不但在产品规格配套方面占据优势。
产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路。不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点。
晶闸管模块的类型
晶闸管模块通常被称之为功率半导体模块,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
根据封装工艺的不同,晶闸管模块可分为焊接型和压型两种。
晶闸管模块可分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX);普通整流模块(MDC);普通晶闸管、整流混合模块(MFC);快速晶闸管、整流混合模块(MKC\MZC);非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(通常称为电焊机**模块MTG\MDG);三相整流桥输出晶闸管模块(MDS);单相(三相)整流桥模块(MDQ);单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)。 正高电气公司狠抓产品质量的提高,逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。
红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节′。正高电气我们完善的售后服务,让客户买的放心,用的安心。电磁吸盘单相整流调压模块生产厂家
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