电解抛光腐蚀仪利用电化学原理进行金相样品的制备,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀,具备制样快、重复性好等优点,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备,用户的计算机可直接读取所有历史数据,可对所有数据进行分析、存档、打印处理。电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀,主要用于各大中院校、环保、科研、卫生、防疫、石油、治金、化工、医疗等设备,本仪器性能好,无噪声。电解抛光腐蚀,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全。四川晶间腐蚀按钮操作
低倍组织加热腐蚀,解决所述问题的基本技术方案:一种检验钢的低倍组织及缺陷热、冷酸侵蚀装置,以及操作过程中该装置对操作员安全保护;用耐酸材料(PP材料)的储液槽通过电加热使酸液保持恒温环境状态进行钢的低倍组织及缺陷热、冷酸侵蚀。通过循环储液装置可以防护酸液对操作员更换酸液和放取样品时酸液飞溅带来身体的危害;采用触摸屏人机交互,在硬件结构确定的前提下,通过软件实现具体功能,扩展性好,能很快满足用户特殊需求。四川晶间腐蚀按钮操作低倍组织热酸蚀腐蚀,尺寸多样性,完全可以按照客户要求定制。
电解抛光腐蚀,显示钢的显微组织的电解浸蚀剂及电解抛光液表
浸蚀剂名称及成分 |
使用方法 |
适用范围 |
|
铬酸水溶液: 三氧化铬10克 水100亳升 |
电解浸蚀,以试样为正极,不锈钢为负极,相距18~25亳米,电压6伏,浸蚀30~90秒 |
添铁素体晶界外,一切组织均能显示,渗碳体易浸蚀,奥氏体次之 |
|
10%草酸电解液: 草酸 10克水 100亳升 |
电解时间0.7~1分钟 电流密度20~30安/厘米2 电解时间20~40秒 电流密度10~20安/厘米2 电解时间1.6~1.8分钟 电流密度10~20安/厘米2 |
显示奥氏体不锈钢晶和碳化物。 显示4Cr14Ni14W4Mo钢退火材的奥氏体和碳化物 显示提造钢退火或猝火组织,GCr15的碳化物。 |
低倍组织热腐蚀,测试目的:通过宏观检验发现钢中的缺陷及不均匀性,如:疏松、气泡、白点、翻皮、偏析、残余缩孔等。这些缺陷及不均匀性的存在将会导致钢材的机械性能、物理性能的降低,所以低倍检查在产品验收、新品试制、工艺调整与控制方面占有十分重要的地位。项目介绍:低倍组织检验是用肉眼或放大适当的倍数来观察试样浸蚀面的宏观组织缺陷及断口形貌的一种检测方法。低倍检验常用的方法有酸蚀、断口形貌、硫印、塔形发纹等,其中酸蚀又包括热酸腐蚀法、冷酸腐蚀法及电解腐蚀法,如需仲裁是推荐使用热酸腐蚀法。低倍检验所需设备简单,操作简便迅速结果直观,易于掌握。电解抛光腐蚀,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀。
晶间腐蚀操作主意事项,冷水机设置操作说明:温度设置:按set件会出现设置的温度值,按向上下键进行增加或减少就能设定运行的温度了,然后按ret键保存。不保存修改无效。温度下限设置:同时按住set和向上键,显示0;按向上键将0改为6,在按set键出现F0;在按向上键将F0改F9在按set键就会出现默认设置的最低温度;在按向上下键修改温度值;修改完成后按ret键保存即可,不保存无。重要提示:控制装置不得放置在通风柜内部,因为使用酸液和水雾可能导致敏感的电子设备受损。放在外部也得与酸蚀槽保持一定距离,避免操作时有酸液飞溅到控制器上。低倍组织热酸蚀腐蚀消 除了低倍组织制样过程的不确定性,提高低倍组织制样的重复性。宁波晶间腐蚀制造厂商
电解抛光腐蚀,连接RS485通讯连接方式任选与计算机通讯。四川晶间腐蚀按钮操作
电解抛光腐蚀,显示钢的显微组织的电解浸蚀剂及电解抛光液表
浸蚀剂名称及成分 |
使用方法 |
适用范围 |
|
冰醋酸铬酸溶液: 冰醋酸 775亳升 铬酸酐 75克 铬酸钠 150克 |
10分钟以上,电压40~45伏,搅动溶液使其保持在30。C以下。作用较慢,但较安全。 |
抛光铜和铁效果很好。 |
|
醋酸及冰醋酸溶液: 醋酐 765亳升 过氯酸(65%)185亳升 水 50亳升 用电解法溶入铝0.5% |
使用电流密度4~6安/厘米),使用电压50伏,浸蚀时间4~5分钟。溶液配制后放置24小时后方可使用,使用温度应低于30。C,以免引起炸裂。 |
适用于抛光钢和铁以不含8%的 |
电解抛光腐蚀仪利用电化学原理进行金相样品的制备,该设备工作电压、电流范围大,功能齐全,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀,具备制样快、重复性好等优点,是钢铁,尤其是不锈钢及有色金属试样制备的理想设备,用户的计算机可直接读取所有历史数据,可对所有数据进行分析、存档、打印处理。电压、电流范围大,可同时满足各种材料的抛光和腐蚀,主要用于各大中院校、环保、科研、卫生、防疫、石油、治金、化工、医疗等设备,本仪器性能好,无噪声。低倍组织热酸蚀腐蚀酸蚀槽采用特殊材料制作,耐酸耐高温。昆山金属抛光腐蚀公司电解抛光腐蚀原理,关于电解抛光原理的争论很多,被公认的主要为薄膜理论。薄膜理论解释的电解抛光过...