半导体二极管主要是依靠 PN 结而工作的。与 PN 结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据 PN 结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其 PN 结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。变容二极管原装厂家直销选凯轩业电子科技有限公司。天津厂家直销变容二极管
大体意义上讲，PN结的定义为：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，一般半导体的材料选择为硅或者锗，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。具体介绍PN结的形成大体分为三步，首先扩散运动，P区的空穴浓度远大于N区的自由电子浓度，因此，P区的空穴必然向N区扩散，并与N区中的自由电子复合而消失；同样，N区的自由电子必然向P区漂移，并与P区中的空穴复合而消失。其次是空间电荷区的产生，扩散运动导致了P区一侧失去空穴而留下负离子，N区一侧失去电子而留下正离子，这些不能移动的带电离子称为空间电荷，相应地这个区域称为空间电荷区，较后由于有正离子和负离子，这样在空间电荷区内就会产生一个内电场，内电场的产生让多子的扩散和少子的漂移达到了一个动态平衡，较后形成了PN结。天津厂家直销变容二极管变容二极管只选凯轩业科技有限公司，信赖之选。
功率的区分实际上就是电流的区分，大功率就是流过电流大的，小功率就相反，就是流过电流小的。简单举个例，如下图为1N400系列二极管的参数，如下图可以看出IF为1A，而1N400系列二极管的管压降为0.7V，P=UI,所以可得为0.7W。所以功率的大小就可以通过上述方式计算可得。较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散 P 型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此，不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。 变容二极管选深圳市凯轩业电子，欢迎━(*｀∀´*)ノ亻!亲的到来。
13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”表示“峰”；而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。深圳市凯轩业科技致力于变容二极管生产研发设计，竭诚为您服务。天津厂家直销变容二极管
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较基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按原子构造来分类，主要分为现在主流的平面型和耐高压的台面型。二极管有各种各样的形装，大体分为插件形和贴片形使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。天津厂家直销变容二极管
