在开关电源输出端用的滤波电容，与工频电路中选用的滤波电容并不一样，在工频电路中用作滤波的普通电解电容器，其上的脉动电压频率只有100Hz，充放电时间是毫秒数量级，为获得较小的脉动系数，需要的电容量高达数十万微法，因而一般低频用普通铝电解电容器制造目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。在开关稳压电源中作为输出滤波用的电解电容器，由于大多数的开关电源工作在方波或矩形波的状态，含有及其丰富的高次谐波电压与电流，其上锯齿波电压的频率高达数十千赫，甚至数十兆赫，它的要求和低频应用时不同，电容量并不是主要指标，衡量它好坏的则是它的阻抗频率特性。陶瓷电容较坑的失效就是短路了，一旦陶瓷电容短路，产品无法正常使用，危害非常大。中国台湾高介电常数型电容厂家
片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容)MLCC的优点：1、由于使用多层介质叠加的结构，高频时电感非常低，具有非常低的等效串联电阻，因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手；2、无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路；3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额；4、击穿时不燃烧，安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电容，绝大部分的人都是根据贴片、插件来称呼，但是这个称呼不是很统一，还有很多人是根据形状来称呼，如片状陶瓷电容、圆形陶瓷电容、管形陶瓷电容等。对于半导体设备而言，贴片陶瓷电容非常重要，否则，那些采用较新微细加工技术制造的微处理器、DSP、微机、FPGA等半导体器件，将会失去正常工作，所以我们在选择贴片陶瓷电容的时候要慎重，扬州陶瓷电解电容品牌钽电容的性能优异，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。
微型电极结构方面，将电极做成立体三维结构可获得更年夜的概况积，有利于负载更多的电极活性物质以及保证活性物质的充实操作，从而有利于改善电荷存储机能。本所庖代的历次版本发布情形为：——ｇｂ６跟着材料科学的发展，电容器逐渐向高储能、小型化、轻质量、低成本、高靠得住性等标的目的成长，近年来，跟着情形呵护的呼声越来越高，含铅材料受到了极年夜的限制，传统的pzt基压电陶瓷由于含有年夜量的pb，其制造和使用已经被限制，batio３基陶瓷材料再次成为研究的热点。因为界面上存在位垒，两层电荷不能越过鸿沟彼其中和，从而形成了双电层电容[５]。１双电层电容理论１８５３年德国物理学家helmhotz首先提出了双电层电容这一概念[６]。用这种超级为一部iphone手机布满电只只需要５秒钟。但因为电介质耐压低，存在漏电流，储存能量和连结时刻受到限制。但这种电极材料的制备工艺繁复，耗时长，价钱昂贵，商品化还有必然距离。
为什么会有扭曲的裂缝？这是因为电路板上的补丁是焊接。对电路板施加过大的机械力，导致电路板弯曲或老化，产生扭曲裂纹。如果扭转裂纹从下外电极的一端延伸到上外电极，电容就会降低，使电路呈现开路状态(open)。因此，即使裂纹不是很严重，如果到达贴片内部电极，焊剂中的有机酸和水分也会通过裂纹间隙侵入，导致绝缘电阻下降。此外，电压负载会变高，电流过大时，较坏的情况会导致短路。一旦出现扭曲裂纹，很难从外部清理，所以为了防止裂纹的发生，应控制不要施加过大的机械力。一般来说，电容器封装越大，越容易产生机械应力失效。电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法）。
电容和体积由于电解电容大多采用卷绕结构，容易扩大体积，所以单位体积的电容很大，比其他电容大几倍到几十倍。然而，大电容的获得是以体积膨胀为代价的。开关电源要求更高的效率和更小的体积。因此，有必要寻找新的解决方案来获得具有大电容和小体积的电容器。一旦有源滤波电路用于开关电源的原边，铝电解电容器的使用环境就变得比以前更加恶劣：(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流，而且增加很大；(2)变流器主开关管发热，导致铝电解电容器环境温度升高；(3)大部分变换器采用升压电路，所以需要耐高压的铝电解电容。结果，由现有技术制造的铝电解电容器不得不选择大尺寸的电容器，因为它们需要吸收比以前更多的脉动电流。结果，电源的体积巨大，并且难以在小型化的电子设备中使用。为了解决这些问题，有必要研究和开发一种新型的电解电容器，这种电容器体积小，耐高压，并允许大量的高频脉冲电流流过。另外，这种电解电容器，在高温环境下工作，工作寿命长。钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。泰州电容
钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。中国台湾高介电常数型电容厂家
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。中国台湾高介电常数型电容厂家
