引理**近有朋友说关于加热炉出现烧毁晶闸管的问题，事情起源为公司设计了一个加热炉，加热上限温度100度，下限温度-60度。加热炉的加热电阻设计连接方式为星形连接，其中一台设备采用了三角形连接方式，结果晶闸管经常被烧毁，问这是什么原因引起的损坏。加热炉要解释这个问题，需要从电阻的星接和角接以及由于电阻接法不同引起的加热功率变化两个方面进行分析。本文分析采用理论与实际相结合形式，读者根据需求选择部分章节进行阅读。电加热炉原理介绍电加热炉温度控制采用的是晶闸管周期性导通控制电阻丝功率的调功器。调功器的控制方式：晶闸管零电压开关，在时间周期T内，晶闸管全导通周波数对应的时间Tm，晶闸管关闭时间T-Tm，采用控制方式通常为PID控制，根据当前温度与目标控制温度差值，PID调节器输出值决定导通周波数时间，在晶闸管导通时，负载电压等于相电压，在晶闸管关段时，负载电压等于零。晶闸管晶闸管电阻丝串联星接每个控制周期T的平均电压为：每个控制周期T的电阻加热量为：可见电阻丝加热热量与电压Tm的平方成正比。Tm越大，加热量越大。而电炉子的传递函数仍然可用《自动控制原理》一文中的公式进行计算。正高电气提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。MTAC800晶闸管智能模块生产厂家
而称之为主电极T1、T2。[15]检测单向晶闸管：万用表置于“R×10Ω”挡，黑表笔接控制极G，红表笔接阴极K，测量其正向电阻，应有较小的阻值。对调两表笔测其反向电阻，应比正向电阻明显大一些。测量控制极G与阳极A之间的正、反向电阻，均应为无穷大。这是因为G、A间为两个PN结反向串联，不论正、反向均不应导通，否则晶闸管已坏。[16]检测双向晶闸管：万用表置于“R×1Ω”挡，两表笔测量控制极G与主电极T1间的正、反向电阻，均应为较小阻值。测量控制极G与主电极T2间的正、反向电阻，均应为无穷大。[17]检测单向晶闸管导通特性：万用表置于“R×1Ω”挡，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，表针指示应为无穷大。用螺丝刀等金属物将控制极G与阳极A短接一下（短接后即断开），表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。检测双向晶闸管导通特性：黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，表针指示应为无穷大。将控制极G与主电极T2短接一下，表针应向右偏转并保持在十几欧姆处。如不符合上述情况则说明晶闸管已损坏。[18]晶闸管具有以小电流（电压）控制大电流（电压）的作用，并具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、开关速度快等优点。MTAC800晶闸管智能模块生产厂家正高电气的行业影响力逐年提升。
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中。
双向晶闸管看起来与单向晶闸管的外形差不多，也有三个电极，它的主要工作特性是什么呢？双向晶闸管相当于两个单向晶闸管的反向并联，但只有一个控制极。这样，双向晶闸管在正、反两个方向上都能够控制导电，而单向晶闸管却是一种可控的单方向导电器件。给双向晶闸管的控制极加正的或负的触发脉冲，都能使管子触发导通。这样，触发电路的设计就具有很大的灵活性，可以采用多种不同的触发方式。此外，双向晶闸管的两个主电极不再分为阳极和阴极，而是称为电极T1和第二电极T2。双向晶闸管在电路中不能用作可控整流元件，主要用来进行交流调压、交流开关、可逆直流调速等等。双向晶闸管触发电路中，使用了双向触发二极管，我们过去没有听说过这种管子，这是一种什么样的器件呢？双向触发二极管从结构上来说，是一种没有控制极的晶闸管，我们可以把它看成是两个二极管的反向并联。这样，无论在双向触发二极管的两极之间外加什么极性的电压，只要电压的数值达到管子的转折电压值，就能使它导通。值得注意的是，双向触发二极管的转折电压较高，一般在20～40V范围。双向触发二极管组成的双向晶闸管触发电路的工作原理吧。调压器电路主要由阻容移相电路和双向晶闸管两部分组成。正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。
过流保护如果想得到较安全的过流保护，建议用户优先使用内部带过流保护功能的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是**简单常用的方法，介绍如下：（1）快速熔断器的选择：①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压；②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的，按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。（2）接线方法：快速熔断器接在模块的输入端，负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差，当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时，即使时间很短，也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压，会引起晶闸管硬开通，它不仅使电路工作失常，且多次硬开通后元件正向转折电压要降低，甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护，推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。（1）阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时，和开关电路一样，因线路电感（主要是变压器漏感LB）释放能量会产生过电压。选择正高电气，就是选择质量、真诚和未来。MTAC800晶闸管智能模块生产厂家
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晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。MTAC800晶闸管智能模块生产厂家
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