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晶闸管模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
晶闸管模块企业商机

    1晶闸管模块被广泛应用于工业行业中,对于一些专业的电力技术人员,都知道晶闸管模块的来历及各种分类。不过现在从事这一行的人越来越多,有的采购人员对这方面还不是很了解。有的客户也经常问起我们晶闸管模块的来历。现在晶闸管厂家昆二晶就为大家分享一下:2晶闸管模块诞生后,其结构的改进和工艺的,为新器件的不断出现提供了条件。1964年,双向晶闸管在GE公司开发成功,应用于调光和马达控制;1965年,小功率光触发晶闸管出现,为其后出现的光耦合器打下了基础;60年代后期,大功率逆变晶闸管问世,成为当时逆变电路的基本元件;1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。3普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域,运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过,这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。4双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成,常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通,因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长,其水平已超过2000V/500A。正高电气以其独特且具备设计韵味的产品体系。湖南工业窑炉三相交流调压模块

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    它可以用控制移相触发脉冲来方便地改变负载的交流工作电压,从而应用于精确地调温、调光等阻性负载及部分感性负载场合。⑵双向可控硅输出的普通型与单向可控硅反并联输出的增强型的区别在感性负载的场合,当LSR由通态关断时,由于电流、电压的相位不一致,将产生一个很大的电压上升率dv/dt(换向dv/dt)加在双向可控硅两端,如此值超过双向可控硅的换向dv/dt指标(典型值为10V/μs)则将导致延时关断,甚至失败。而单向可控硅为单极性工作状态,只受静态电压上升率dv/dt(典型值为100V/μs)影响,由两只单向可控硅反并联构成的增强型LSR比由一只双向可控硅构成的普通型LSR的换向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性负载场合宜选取增强型LSR。㈣继电器负载输出端电流等级及型号如下表:电流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增强型15A增强型35A型号LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1电流增强型50A增强型70A增强型90A。青岛双向晶闸管模块正高电气智造产品,制造品质是我们服务环境的决心。

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    硒堆的特点是其动作电压和温度有关,温度越低耐压越高;另外是硒堆具有自恢复特性,能多次使用,当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖,又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻,其结构为两个电极,电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶,结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态,只有很小的漏电流,其值小于100μA。当加上电压时,引起了电子雪崩,粒界层迅速变成低阻抗,电流迅速增加,泄漏了能量,了过电压,从而使晶闸管得到保护。浪涌过后,粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压:指压敏电阻流过1mA直流电流时,其两端的电压值。通流容量:是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流,每隔5分钟冲击1次,共冲击10次,标称电压变化在-10[[[%]]]以内的比较大冲击电流值来表示。因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数,标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降,而且也随着放电电流幅值的增大而下降,当大到某一电流时,标称电压下降到0,压敏电阻出现穿孔,甚至炸裂;因此必须限定通流容量。

    晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2。正高电气以更积极的态度,更新、更好的产品,更质量的服务,迎接挑战。

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    六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,当通过晶闸管的电流为额定电流时,其阳极A与阴极K之间电压降的平均值,通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT,是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的**小门极直流电压,一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT,是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的**小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压,一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的**小电流。当正向电流小于IH时,导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR,是指晶闸管在断态下的正向比较大平均漏电电流值,一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM,是指晶闸管在关断状态下的反向比较大漏电电流值,一般小于100μA。正高电气经营理念:前列的设备、前列的产品、前列的服务。青岛双向晶闸管模块

正高电气运用高科技,不断创新为企业经营发展的宗旨。湖南工业窑炉三相交流调压模块

    即俗称底板是否带电。绝缘型的模块多用在交流焊机中,如应用于点焊、电阻焊机中的晶闸管模块MTX系列;应用于CO2气体保护焊机、WSM普通焊机等MTG系列模块。各焊机应用晶闸管模块在下表中简述:整机种类使用模块常见主回路形式电路特点S可控硅直流氩弧焊机MFG单相全波整流CO2气保焊机MDG双反星并联(带平衡电抗器)CO2气保焊机MTG双反星并联(带平衡电抗器)逆变焊机变频器MDCMDQMDS单相或三相整流桥点焊机MTXMTC电子开关三、CO2焊机**晶闸管MTG模块:l模块内部电路图:l焊机**MTG模块特点简介:²MTG模块是由三只共阳极晶闸管封装在一起的模块化结构组件。模块内管芯参数针对焊机特点专门设计,额定结温高、通态压降低、通流和过载能力强动态性能的一致性好、耐疲劳性强,免除螺栓式晶闸管装机前参数挑选和配对的难题,提高工效。²焊机目前正朝模块化方向发展,而且由于装配,调试,维修简单;整机装置美观大方等优点;能明显地提升焊机品位,因此模块应用会越来越。l适用焊机典型主回路形式:适用于双反星并联带平衡电抗器电路l焊机额定输出电流对模块的选择:见下表焊机型号适用主回路焊机额定输出电流MTGMTG。湖南工业窑炉三相交流调压模块

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