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  • 氮化镓光刻机样机试用,光刻机
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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVGroup企业技术总监ThomasGlinsner博士证实:“我们看到支持晶圆级光学器件的设备需求正在急剧增加。”“JIN从今年年初开始,我们就向大型WLO制造商交付了多个用于透镜成型和堆叠以及计量的系统,以进行大批量生产。此类订单进一步巩固了EVG在该领域市场LINGDAOZHE的地位,同时创造了新兴应用程序中有大量新机会。”业界LINGXIAN的设备制造商ZUI近宣布了扩大其传感领域业务目标的计划,以帮助解决客户日益激进的上市时间窗口。根据市场研究和策略咨询公司YoleDéveloppement的说法,下一代智能手机中正在设计十多种传感器。其中包括3D感测相机,指纹传感器,虹膜扫描仪,激光二极管发射器,激光测距仪和生物传感器。总体而言,光纤集线器预计将从2016年的106亿美元增长到2021年的180亿美元,复合年增长率超过11%*。HERCULES光刻机系统:全自动光刻根踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力。氮化镓光刻机样机试用

氮化镓光刻机样机试用,光刻机

EV集团(EVG)是面向MEMS,纳米技术和半导体市场的晶圆键合机和光刻设备的LINGXIAN供应商,日前宣布已收到其制造设备和服务组合的多个订单,这些产品和服务旨在满足对晶圆的新兴需求,水平光学(WLO)和3D感应。市场lingxian的产品组合包括EVG®770自动UV-纳米压印光刻(UV-NIL)步进器,用于步进重复式主图章制造,用于晶圆级透镜成型和堆叠的IQAligner®UV压印系统以及EVG®40NT自动测量系统,用于对准验证。EVG的WLO解决方案由该公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。使用ZUIXIN的压印光刻技术和键合对准技术在晶圆级制造微透镜,衍射光学元件和其他光学组件可带来诸多好处。这些措施包括通过高度并行的制造工艺降低拥有成本,以及通过堆叠使ZUI终器件的外形尺寸更小。EVG是纳米压印光刻和微成型领域的先驱和市场LINGDAOZHE,拥有全球ZUI大的工具安装基础。HERCULES光刻机LED应用光刻机的工作原理是将光刻胶涂覆在硅片上,然后将掩模放置在光刻胶上方,通过光学系统将光线聚焦在掩模上。

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EVG也提供量产型掩模对准系统。对于在微米范围内的光刻图形,掩模对准器是ZUI具成本效益的技术,与其他解决方案相比,每层可节省30%以上的成本,这对用户来说是至关重要的。EVG的大批量制造系统旨在以ZUI佳的成本效率与ZUI高的技术标准相结合,并由卓YUE的全球服务基础设施提供支持。ZUI重要的是,大焦深曝光光学系统完美匹配大批量生产中的厚抗蚀剂,表面形貌和非平面基片的图形。在全球范围内,我们为许多客户提供了量产型的光刻机系统,得到了他们的无数好评。

此外,EVG光刻机不断关注未来的市场趋势-例如光学3D传感和光子学-并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案,以满足客户不断变化的需求。我们用持续的技术和市场地位证明了这一点,包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的无人能比的经验,这些抗蚀剂针对独特的要求和参数进行了优化。了解客户需求和有效的全球支持是我们提供优先解决方案的重要基础。只有接近客户才能得知客户蕞真实的需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。EVG键合机掩模对准系列产品,使用的是蕞先近的工程工艺。

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G®105—晶圆烘烤模块设计理念:单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的ZUI佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸ZUI大为300毫米,或同时ZUI多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空(直接接触烘烤)N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米烤盘:温度范围:≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。氮化镓光刻机样机试用

新型的EVG120带有通用和全自动光刻胶处理工具,能够处理各种形状和尺寸达200mm/8“的基片。氮化镓光刻机样机试用

IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内(弟一次印刷/对准)>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘,SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量(弟一次印刷/对准)>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模(FCMM)■经准的跳动补偿,实现ZUI佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台氮化镓光刻机样机试用

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