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  • 晶圆键合机微流控应用,键合机
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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

一旦将晶片粘合在一起,就必须测试粘合表面,看该工艺是否成功。通常,将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常,从而有助于确保成品没有缺陷。EVGroup(EVG)是制造半导体,微机电系统(MEMS),化合物半导体,功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的lingxian供应商。主要产品包括晶圆键合,薄晶圆加工,光刻/纳米压印光刻(NIL)和计量设备,以及光刻胶涂布机,清洁剂和检查系统。成立于1980年的EVGroup服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络,并为其提供支持。有关EVG的更多信息,请访问"键合机"。 键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。晶圆键合机微流控应用

晶圆键合机微流控应用,键合机

共晶键合[8,9]是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点,以其作为中间键合介质层,通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此,中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多,通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身,可以降低键合工艺难度,且其液相粘结性好,故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱,故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力,同时钛也具有阻挡扩散层的作用, 可以阻止金向硅中扩散[10,11]。 晶片键合机有哪些品牌EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的zhuyao市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。

晶圆键合机微流控应用,键合机

EVG®810LT LowTemp™等离子基活系统 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独力单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一基活并结合在等离子体基活室外部)。 特征 表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结) 晶圆键合机制中蕞快的动力学,无需湿工艺 低温退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘结强度 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性(包括CMOS)

GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度多达六个预处理模块,例如:清洁模块LowTemp™等离子基活模块对准验证模块解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量可选功能:解键合模块热压键合模块技术数据晶圆直径(基板尺寸)200、300毫米蕞高处理模块数:6+的SmartView®NT可选功能:解键合模块热压键合模块EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。

晶圆键合机微流控应用,键合机

该技术用于封装敏感的电子组件,以保护它们免受损坏,污染,湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统(MEMS)行业相关联,在该行业中,阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是,它可以产生牢固而持久的键合,而无需粘合剂或过高的温度,而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限,并且材料组合还存在其他限制,因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说,它们在加热时需要以相似的速率膨胀,否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题,如果需要了解,请点击:键合机。 EMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。临时键合键合机技术服务

EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。晶圆键合机微流控应用

在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。晶圆键合机微流控应用

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