在快速无功补偿和谐波滤波装置中,要用晶闸管投切电容器TSC,。执行元件晶闸管根据应用场合的不同,有饼式的、模块的和双向可控硅的不同结构型式。针对不同的主回路和不同的晶闸管型式,触发电路也不同。TSC要求在晶闸管电压过零点触发,确定晶闸管电压过零点的方法有两种,一种是从电网电压取得同步信号,另一种是从晶闸管的阳极和阴极取得过零信号。晶闸管投切电容器的原理晶闸管投切电容器组的关键技术是必须做到投切时无电流冲击。晶闸管投切电容器组的原理如图1所示。图1晶闸管投切电容器组的原理可控硅晶闸管模块产品优势特点1.电压过零触发,电流过零断开,无冲击电流;2.光电隔离,抗干扰能力强,响应时间<15ms;3.德国经典触发及保护电路,全正弦波切换,运行安全无谐波;4.特有**散热片,无轴流风机,主动散热,运行无噪声,组件免维护,使用寿命长;5.内置过温(85℃)保护;6.三色LED信号灯分别显示开关通电状态、运行状态、故障状态;7.兼容性强,可与全球各种规格无功补偿控制器配套;8.导通压降低,开关损耗小,降低用户能耗。正高电气多方位满足不同层次的消费需求。河北行车可控硅集成调压模块
晶闸管模块通常包含一个或多个晶闸管,并且还可能包含二极管等其他半导体设备。它们具有一个电气隔离基板,这样可以使其他元件安装在同一散热片上。这样可简化系统安装、包装和冷却。晶闸管模块的工作原理是什么?晶闸管模块可用作开关,在持续电流达到设定值时开启。它们持续导电(接通),直到设备电压反向为止。这些模块由P和N(正和负)型半导体交替层叠,形成四层半导体材料。它们设计用于中、高电流电源的控制应用,功能与硅控制设备相同。晶闸管模块可循环额定电压和电流较高的大功率电源。晶闸管模块的应用晶闸管模块可用于各种应用,其中包括:交流电动机驱动电源热/温度控制(例如化学过程和大型商业烤箱)电焊机照明控制大型IGBT前端电路电池充电器直流制动桥接电路。武汉稳流模块组件正高电气提供周到的解决方案,满足客户不同的服务需要。
晶闸管模块电流规格的选取
1、根据负载性质及负载额定电流进行选取
(1)电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。
(2)感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。
(3)负载电流变化较大时,电流倍数适当增大。
(4)在运行过程中,负载的实际工作电流不应超过模块的较大电流。
2、散热器风机的选用
模块正常工作时必须配备散热器和风机,推荐采用厂家配套的散热器和风机。如果用户是自己提供的,则使用以下原则来选择:
(1)模块正常工作时,必须能保证冷却底板温度不超过75℃;
(2)当模块负载较轻时,可减小散热器的尺寸或采用自然冷却;
(3) 有水冷条件的,应优先水冷散热 。
3、使用要求
(1)工作场所环境温度范围:-25℃~+45℃;
(2)模块周围需要干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。
(3)模块电极上的铜线严禁不用端子直接压接,以免接触不良引起附加发热。
(4)应经常测量固体继电器导热衬底侧或固态继电器附近散热器的表面温度,测点温度应小于80℃。
)=174A-232A显然,通过以上的计算对于采用双反星型并联电路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊机应选择MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模块。比较好选MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模块.当然,焊机可靠长期正常工作除了与模块正确选型有关外,与以下因素还有一定的关系:²焊机暂载率即额定负荷工作持续率(FS):根据焊机行业标准此类焊机暂载率一般为:35%;60%;。其定义如下:暂载率FS=负载满负荷持续运行时间(t)/[负载满负荷持续运行时间+休止时间]x=t/Tx上式中T为焊机的工作周期,它是负荷持续运行和休止时间之和。我国焊机行业规定,手工氩弧焊时T为5分钟;自动氩弧焊时T为10分钟;即工作6分钟,休息4分钟。²散热条件:以上计算均是在假设散热条件足够的情况下考虑的。如果散热条件发生变化,对模块的选型要求可适当增大或减小。l其它线路焊机对模块的选型:对于使用在三相半控全桥整流线路中的模块MTY;MDG,如下图,对器件通流能力要求更高,同等输出电流的情况下,该线路中的器件通过的电流是双反星并联线路中的两倍;但对耐压的要求低一倍。实例:已知条件:Id=630A;空载电压:100V1、器件耐压(VRRM。正高电气我们完善的售后服务,让客户买的放心,用的安心。
晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2。正高电气公司在多年积累的客户好口碑下,不但在产品规格配套方面占据优势。吉林蓄电池充放电单相交流调压模块
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六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT,是指在规定环境温度和标准散热条件下,当通过晶闸管的电流为额定电流时,其阳极A与阴极K之间电压降的平均值,通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT,是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的**小门极直流电压,一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT,是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下,使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的**小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压,一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的**小电流。当正向电流小于IH时,导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR,是指晶闸管在断态下的正向比较大平均漏电电流值,一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM,是指晶闸管在关断状态下的反向比较大漏电电流值,一般小于100μA。河北行车可控硅集成调压模块
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