探针台是半导体（包括集成电路、分立器件、光电器件、传感器）行业重要的检测装备之一，其普遍应用于复杂、高速器件的精密电气测量，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。探针台用于晶圆加工之后、封装工艺之前的CP测试环节，负责晶圆的输送与定位，使晶圆上的晶粒依次与探针接触并逐个测试。在半导体器件与集成电路制造工艺中，从单晶硅棒的制取到终器件制造的完成需经过复杂的工序，可分为前道工序与后道工序，探针台是检测半导体芯片的电参数、光参数的关键设备。经过检测，探针台将参数特性不符合要求的芯片记录下来，在进入后序工序前予以剔除，降低器件的制造成本。尽管随着探针压力的增强，接触电阻逐渐降低，终它会达到两金属的标称接触电阻值。青海芯片测试探针台机构
晶圆是制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。半导体工业对于晶圆表面缺陷检测的要求，一般是要求高效准确，能够捕捉有效缺陷，实现实时检测。较为普遍的表面检测技术主要可以分为两大类：针接触法和非接触法，接触法以针触法为象征；非接触法又可以分为原子力法和光学法。在具体使用时，又可以分为成像的和非成像的。山东高温探针台生产半导体设备价值普遍较高，一条先进半导体生产线投资中，设备价值约占总投资规模的75%以上。
12英寸晶圆在结构上具有更高的效率，以200mm工艺为例，在良率100%的情况下，可出88个完整的晶粒，理论上因方块切割所造成的边缘浪费率为23%(约有20个晶粒因缺角破损而无法使用)；而若以300mm工艺进行切割，则产出效率将更惊人，可产出193个完整的晶粒，会浪费19%的晶圆面积(36个不完整晶粒)。此外，12英寸厂的规模经济优势也不容小视；300mm的建厂成本与200mm的建厂成本比值约为1.5，而晶圆厂建厂成本与晶圆面积的比值却少于2.25，这意味着只要多投入1.5倍的建厂成本，即可多生产2.25倍的晶粒！少少的边际投入即可获取的收益，约可节省33%的成本；如此高报酬的投资效益随着技术的发展而让人们受益。
探针台是用于检测每片晶圆上各个芯片电信号，保证半导体产品品质的重要检测设备。下面我们来了解下利用探针台进行在片测试的一些相关问题，首先为什么需要进行在片测试？因为我们需要知道器件真正的性能，而不是封装以后的，虽然可以去嵌，但还是会引入一些误差和不确定性。因为我们需要确定哪些芯片是好的芯片来降低封装的成本并提高产量。因为有时我们需要进行自动化测试，在片进行自动化测试成本效益高而且更快。一个典型的在片测试系统，主要包括：矢量网络分析仪，线缆，探针，探针定位器，探针台，校准设备及软件，电源偏置等。探针台主要应用于半导体行业以及光电行业的测试。
手动探针台：普遍应用于，科研单位研发测试、院校教学操作、企业实验室芯片失效分析等领域。一般使用于研发测试阶段，批量不是很大的情况，大批量的重复测试推荐使用探卡。主要功能：搭配外接测试测半导体参数测试仪、示波器、网分等测试源表，量测半导体器件IVCV脉冲/动态IV等参数。用途：以往如果需要测试电子元器件或系统的基本电性能(如电流、电压、阻抗等)或工作状态，测试人员一般会采用表笔去点测。随着电子技术的不断发展，对于精密微小(纳米级)的微电子器件，表笔点到被测位置就显得无能为力了。于是一种高精度探针座应运而生，利用高精度微探针将被测原件的内部讯号引导出来，便于其电性测试设备(不属于本机器)对此测试、分析。探针台需要特别注意的是在未加压缩空气时不可强行拉动动子，以免造成定子及动子的损伤。青海磁场探针台一般多少钱
一般，信号路径电阻被用来替代接触电阻，而且它在众多情况下更加相关。青海芯片测试探针台机构
探针台为研究和工程实验室在测试运行期间移动通过多个温度点时，提供前所未有的自动化水平。这种新技术使探针系统能够感知，学习和反应以多温度和特征的极其复杂的环境。随着集成电路产品不断进入汽车应用等更高发热量的环境，在越来越宽的温度范围内表征器件性能和耐用性变得越来越重要。以前，大多数芯片在两个温度点进行晶圆级测试，通常为20˚C（室温）和90˚C。现在，该范围已经扩大到-40˚C至125˚C，并且可能需要在此范围内的四个温度步骤中进行一整套测试。某些情况下需要更普遍的范围，如-55˚C至200˚C，晶圆可靠性测试可能要求高达300˚C的温度。青海芯片测试探针台机构
