δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---比较大开关功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---比较大漏过脉冲功率PMS---比较大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率。检测单结晶体管的质量时，万用表的量程一般选用×1K挡。安徽优势晶体管
晶体管重要性晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用，应用十分***.输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得普遍的是TTL与非门.TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个的元件.晶体管是半导体三极管中应用***的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示.晶体管被认为是现代历史中伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论.晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件.晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本.陕西晶体管的测试电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管。
ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---比较大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
我们在上面的NPN晶体管中讨论过，它也处于有源模式。大多数电荷载流子是用于p型发射极的孔。对于这些孔，基极发射极结将被正向偏置并朝基极区域移动。这导致发射极电流Ie。基极区很薄，被电子轻掺杂，形成了电子-空穴的结合，并且一些空穴保留在基极区中。这会导致基本电流Ib非常小。基极集电极结被反向偏置到基极区域中的孔和集电极区域中的孔，但是被正向偏置到基极区域中的孔。集电极端子吸引的基极区域的剩余孔引起集电极电流Ic。在此处查看有关PNP晶体管的更多信息晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快。
VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---比较大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（比较高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压、死区电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压的多数工程师在要上市的新产品设计中使用晶体管时，会使用表面贴装元器件。安徽优势晶体管
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由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源晶体管结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。安徽优势晶体管
