功率的区分实际上就是电流的区分，大功率就是流过电流大的，小功率就相反，就是流过电流小的。简单举个例，如下图为1N400系列二极管的参数，如下图可以看出IF为1A，而1N400系列二极管的管压降为0.7V，P=UI,所以可得为0.7W。所以功率的大小就可以通过上述方式计算可得。较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。深圳市凯轩业科技有限公司，瞬变抑制二极管信赖之选。福建瞬变抑制二极管哪家好
12、 雪崩二极管 （Avalanche Diode）它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。福建瞬变抑制二极管哪家好原装，厂家直销瞬变抑制二极管就选择凯轩业电子有限公司。
主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。正向导通状态：电流只能从二极管的正极流入，负极流出，因为它包含一个PN结，有正极和负极两个端子整流二极管能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）反向截止状态：在二极管两端加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。选用整流二极管时，主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数常用参数：较大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热深圳市凯轩业科技是一家专业瞬变抑制二极管方案设计公司，欢迎新老客户来电！
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响但为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。原装芯片，厂家直销瞬变抑制二极管欢迎新老客户咨询。河南瞬变抑制二极管品牌
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7、合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的 PN 结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。8、外延型二极管用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。福建瞬变抑制二极管哪家好
