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高效率二极管基本参数
  • 品牌
  • KXY
  • 型号
  • MMBD1505A
  • 尺寸
  • /
  • 重量
  • /
  • 产地
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  • 可售卖地
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  • 是否定制
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高效率二极管企业商机

较基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外,作为保护元件一般使用齐纳二极管,但随着周边电路的精密化、应用微细化,被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按原子构造来分类,主要分为现在主流的平面型和耐高压的台面型。二极管有各种各样的形装,大体分为插件形和贴片形使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。凯轩业电子,控制芯片信赖之选。使用高效率二极管供应商

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电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π 时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间内,重复0~π 时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。使用高效率二极管供应商控制芯片选原装就咨询深圳市凯轩业科技有限公司。

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整流二极管较突出的作用是其能够防止电流倒灌。当整流二极管加上正电压时,正电压起始部分的正电压很小,不能有效克服PN结内电场的阻挡作用。当整流二极管的正电流几乎为零时,这一部分被称为死区,不能引导二极管的正电压称为死区电压。当整流二极管的正电压大于死区电压时,有效克服了PN结内的电场,整流二极管的正电流随着电压的增加而迅速上升。在正常电流范围内,整流二极管端电压几乎保持不变使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA 控制芯片选深圳市凯轩业电子,欢迎━(*`∀´*)ノ亻!亲的到来。

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13、江崎二极管 (Tunnel Diode)它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01 微米以下);简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标“P”表示“峰”;而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。诚信商家,用户的信赖之选,控制芯片就选凯轩业科技。辽宁高效率二极管生产厂家

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15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响但为 RC 时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。使用高效率二极管供应商

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