74LVT162245BDGG

    二极管，这个看似微小的电子元件，却在电子世界中扮演着不可或缺的角色。它是半导体器件中的一种，具有单向导电性，即电流只能从其一端流向另一端，而不能反向流动。这种特性使得二极管在电路中起到了整流、开关、放大等多种作用。在整流电路中，二极管可以将交流电转换为直流电，为电子设备提供稳定的电源；在开关电路中，它可以通过控制电流的通断来实现电路的逻辑功能；而在放大电路中，二极管则能够放大微弱的信号，使得信息得以远距离传输。在未来的电子设备中，二极管将继续发挥重要作用，推动电子技术的不断进步。74LVT162245BDGG

    二极管检测方法：小功率晶体二极管1.判别正、负电极（1）观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。[7]（2）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。[7]（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。[7]2.检测**反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此**反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。[7]双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡，测试电压由兆欧表提供。[8]测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。**将VBO与VBR进行比较，两者的**值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则。 BSC093N04LSG场效应管二极管在电路中能够稳定电压，防止电压波动对设备造成损害。

    二极管主要分类：稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性。光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。[4]当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。[4]发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED。

    二极管的选型与注意事项：选用二极管时，需要考虑其额定电压、额定电流、正向压降、反向恢复时间等参数。同时，还需注意二极管的封装形式、引脚排列和散热要求。合理选型和使用二极管可以提高电路的性能和可靠性。二极管的发展趋势：随着科技的进步，二极管的发展趋势是小型化、高性能化和多功能化。新型材料和制造工艺的应用使得二极管体积更小、性能更稳定。此外，二极管的功能也在不断扩展，如智能二极管具有自保护功能，可防止过流、过压等损坏。未来，二极管将在更多领域发挥重要作用。深入了解二极管的工作原理，有助于更好地应用它于实际电路中。

    二极管PN结单向导电性：在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。主要分类：点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的。 肖特基二极管具有低导通压降和快速开关特性，性能优异。BSP762-T

二极管的正向电阻远小于反向电阻，这是其单向导电性的基础。74LVT162245BDGG

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 74LVT162245BDGG