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1N5399硅整流二极管1000V,,1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A,1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,,1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW,,1S1555硅开关二极管35V,100mA,300mW,,1S2076硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二极管5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅开关二极管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅开关二极管35V。平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大。湖北哪里有二极管模块供应商家

则指给定反向漏电流条件下的电压值。（5）高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间。（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。整流二极管损坏原因编辑（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作。陕西进口二极管模块直销价二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

没有高到让外接的二极管处于导通状态，理由是：如果集成电路A1的①脚输出的直流电压足够高，那么VD1、VD2和VD3导通，其导通后的内阻很小，这样会将集成电路A1的①脚输出的交流信号分流到地，对信号造成衰减，显然这一电路中不需要对信号进行这样的衰减，所以从这个角度分析得到的结论是：集成电路A1的①脚输出的直流电压不会高到让VD1、VD2和VD3导通的程度。4）从集成电路A1的①脚输出的是直流和交流叠加信号，通过电阻R1与三极管VT1基极，VT1是NPN型三极管，如果加到VT1基极的正半周交流信号幅度出现很大的现象，会使VT1的基极电压很大而有烧坏VT1的危险。加到VT1基极的交流信号负半周信号幅度很大时，对VT1没有烧坏的影响，因为VT1基极上负极性信号使VT1基极电流减小。5）通过上述电路分析思路可以初步判断，电路中的VD1、VD2、VD3是限幅保护二极管电路，防止集成电路A1的①脚输出的交流信号正半周幅度太大而烧坏VT1。从上述思路出发对VD1、VD2、VD3二极管电路进一步分析，分析如果符合逻辑，可以说明上述电路分析思路是正确的。2．二极管限幅电路分析各种限幅电路工作是有方法的，将信号的幅度分两种情况：1）信号幅度比较小时的电路工作状态。

导通电压UD约为。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏[4]。二极管正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。[4]当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。[4]当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为，锗管约为。硅二极管的正向导通压降约为，锗二极管的正向导通压降约为。[4]二极管反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

许多初学者对二极管很“熟悉”，提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性，说到它在电路中的应用反应是整流，对二极管的其他特性和应用了解不多，认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性，就能分析二极管参与的各种电路，实际上这样的想法是错误的，而且在某种程度上是害了自己，因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析，许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。二极管除单向导电特性外，还有许多特性，很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理，而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路，例如二极管构成的简易直流稳压电路，二极管构成的温度补偿电路等。二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中，由于电路简单，成本低，所以应用比较广。二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。二极管的管压降特性：二极管导通后其管压降基本不变，对硅二极管而言这一管压降是，对锗二极管而言是。如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管，它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。外壳是由塑胶材料制成，且在外壳上有均匀分布的窗口。湖北哪里有二极管模块供应商家

阻尼二极管多用在高频电压电路中，能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。湖北哪里有二极管模块供应商家

ALC电路在录音机、卡座的录音卡中，录音时要对录音信号的大小幅度进行控制，了解下列几点具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。1）在录音信号幅度较小时，不控制录音信号的幅度。2）当录音信号的幅度大到一定程度后，开始对录音信号幅度进行控制，即对信号幅度进行衰减，对录音信号幅度控制的电路就是ALC电路。3）ALC电路进入控制状态后，要求录音信号愈大，对信号的衰减量愈大。通过上述说明可知，电路分析中要求自己有比较全的知识面，这需要在不断的学习中日积月累。2．电路工作原理分析思路说明关于这一电路工作原理的分析思路主要说明下列几点：1）如果没有VD1这一支路，从级录音放大器输出的录音信号全部加到第二级录音放大器中。但是，有了VD1这一支路之后，从级录音放大器输出的录音信号有可能会经过C1和导通的VD1流到地端，形成对录音信号的分流衰减。2）电路分析的第二个关键是VD1这一支路对级录音放大器输出信号的对地分流衰减的具体情况。显然，支路中的电容C1是一只容量较大的电容（C1电路符号中标出极性，说明C1是电解电容，而电解电容的容量较大），所以C1对录音信号呈通路，说明这一支路中VD1是对录音信号进行分流衰减的关键元器件。湖北哪里有二极管模块供应商家