金融界2024年2月1日消息,据国家知识产权局公告,南京高华科技股份有限公司取得一项名为“一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法“,申请日期为2022年8月。摘要显示,本发明提供一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,MEMS压阻式压力传感器包括衬底、氧化层、第二氧化层和压敏电阻;所述氧化层包括区域和第二区域,所述区域位于所述平面的上方并平行于所述平面;所述第二区域的一端连接所述衬底,另一端连接所述区域;所述衬底、所述区域、所述第二区域之间围合构成中空的腔室,且至少部分所述第二区域倾斜设置;在所述氧化层和所述第二氧化层之间夹设所述压敏电阻,且所述压敏电阻沿所述第二区域的倾斜面敷设。本发明的一个技术效果在于,结构设计合理,不仅能够地缩小MEMS压阻式压力传感器的尺寸,还有助于提升MEMS压阻式压力传感器的灵敏度。力灵智能深耕压力传感器市场,持续推出高性能产品,为客户创造更大价值。湖南优势压力传感器哪家好
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薄膜式压力传感器原理当外界受力作用于薄膜表面时,会引起薄膜变形,并导致薄膜内部产生应变。这种变形和应变会改变薄膜的电学特性,从而使得相应的电路参数发生变化,如电容、电阻等。通过对这些电路参数的测量,就可以确定外加压力的大小。薄膜式压力传感器作用薄膜式压力传感器广泛应用于汽车、环境等领域。它可以实时测量压力大小,并将数据转化为电信号输出,方便对压力进行监控和。同时,由于其结构简单、尺寸小、响应速度,也被越来越多地应用于各种智能设备和消费电子产品中。
硅基压阻式压力传感器应用,在传感器中具有十分重要的地位。该传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化,为此学者们对半导体力敏材料和传感器结构进行了深入研究。研究表明多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性,并较好地应用于体硅压力传感器。但该材料现有的的压阻系数算法理论推导存在一定欠缺,且该材料的应用范围亟待扩大。为了改进多晶硅的压阻系数算法,本文提出了一种p型多晶硅纳米薄膜压阻系数算法,该算法计算的应变因子(GF)与测试结果具有良好的一致性。并且,为了利用多晶硅纳米薄膜的压阻特性,设计研制了一种以多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的层压阻式压力传感器芯片,该传感器芯片具有体积小、满量程输出高、过载能力强和易集成的,应用前景良好。隧道压阻理论利用量子隧道效应和能带退耦分裂理论,阐明了隧道压阻效应的形成机理,在此基础上建立了多晶硅压阻特性的新模型——隧道压阻模型(TPM),该理论较好解释了重掺杂p型多晶硅纳米薄膜应变因子较高的现象。但是,现有的基于该理论的压阻系数算法以p型单晶硅压阻实测数据拟合曲线为基础求取压阻系数与掺杂杂质浓度关系模型,且只给出压阻系数π44模型。因此,该算法需要改进。力灵智能致力于压力传感器生产,严格把控每一个环节,确保产品质量优良。
.压力传感器正确安装方法:(1)通过适当的仪表,在普通大气压和标准温度条件下,核实压力传感器的频率反应值。(2)核实压力传感器的编码与相应的频率反应信号的正确性。2.确定具体安装位置为了确定压力传感器的编号和具体安装位置,需按充气网的各个充气段来考虑。(1)压力传感器必须沿着线缆进行安装,安装在线缆接头处。(2)每条线缆装设压力传感器不少于4个,靠近电话局的两个压力传感器,相距不应大干200m。(3)每条线缆的始端和末端分别安装1个。(4)每条线缆的分支点应装1个,如果两个分支点相距较近(小于100m),可只装1个。(5)线缆敷设方式(架空、地下)改变处应装1个(6)对无分支的线缆,因垒线的线缆程式一致,压力传感器的安装隔距不大干500m,并使其总数不少于4个。我们的压力传感器可用于能源和电力行业。西藏压力传感器价格多少
汽车胎压监测靠压力传感器把关,时刻守护行车安全无虞。湖南优势压力传感器哪家好
灵敏度的选择通常,在传感器的线性范围内,希望传感器的灵敏度越高越好。因为只有灵敏度高时,与被测量变化对应的输出信号的值才比较大,有利于信号处理。但要注意的是,传感器的灵敏度高,与被测量无关的外界噪声也容易混入,也会被放大系统放大,影响测量精度。因此,要求传感器本身应具有较高的信噪比,尽量减少从外界引入的厂扰信号。传感器的灵敏度是有方向性的。当被测量是单向量,而且对其方向性要求较高,则应选择其它方向灵敏度小的传感器;如果被测量是多维向量,则要求传感器的交叉灵敏度越小越好。频率响应特性传感器的频率响应特性决定了被测量的频率范围,必须在允许频率范围内保持不失真的测量条件,实际上传感器的响应总有—定延迟,希望延迟时间越短越好。传感器的频率响应高,可测的信号频率范围就宽,而由于受到结构特性的影响,机械系统的惯性较大,因有频率低的传感器可测信号的频率较低。在动态测量中,应根据信号的特点(稳态、瞬态、随机等)响应特性,以免产生过火的误差。湖南优势压力传感器哪家好
金融界2024年2月1日消息,据国家知识产权局公告,南京高华科技股份有限公司取得一项名为“一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法“,申请日期为2022年8月。摘要显示,本发明提供一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法,MEMS压阻式压力传感器包括衬底、氧化层、第二氧化层和压敏电阻;所述氧化层包括区域和第二区域,所述区域位于所述平面的上方并平行于所述平面;所述第二区域的一端连接所述衬底,另一端连接所述区域;所述衬底、所述区域、所述第二区域之间围合构成中空的腔室,且至少部分所述第二区域倾斜设置;在所述氧化层和所述第二氧化层之间夹设所述压敏电阻,且所述压敏电阻沿所述第二区域的倾斜面敷设。本发明的...