半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！2024先进陶瓷产业发展高峰论坛
“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕，高压烧结有两种方式，第一种为高压成型常压烧结，第二种为高压气氛烧结。1、高压成型常压烧结高压成型常压烧结中，样品在高压下再次加压后，颗粒之间的接触点增加且气孔减少，导致烧结前坯体的相对密度明显增加，而陶瓷烧结活性与样品的压坯密度紧密相关，所以烧结温度明显降低。高压成型常压烧结使烧结温度降低了至少200℃（无压烧结温度一般高于1200℃）。2、高压气氛烧结高压气氛烧结中，高压能够明显增加陶瓷致密的驱动力，并且由于成核势垒的降低使成核速率增加，扩散能力的降低使生长速率减小。高压气氛烧结被认为是一种比较理想的得到致密细晶陶瓷的方法，而常压烧结无法得到纳米陶瓷。晶粒尺寸对BaTiO3的晶体结构和铁电性有很大的影响，随着晶粒尺寸的减小，在BaTiO3陶瓷中会出现多相共存和铁电性消失的现象。近年来，随着微电子和通讯的发展，需要铁电组件的小型化和集成化，很有必要获得细晶陶瓷以便得到比较好的电学性能。但是此方法的缺点为需要能够耐高压的模具，工艺较复杂，较难操作。2024第十六届先进陶瓷与粉末冶金展览会思想交流智慧碰撞，激发灵感创造契机，2025年3月10日中國國際先進陶瓷展，与您相聚上海，共襄行业盛会！
从国内看，碳化硅制造厂商包括长飞先進、芯联集成、上海积塔、比亚迪、三安光电、士兰微、泰科天润等，其中长飞先進、芯联集成、上海积塔已实现碳化硅MOSFET产品的大规模量产，其他企业尚不具备大规模量产能力。三家企业产能合计为25万片/年，规划产能为44.8万片/年。国外he心技术封锁为常态，国产替代需求迫切。和许多先進科技一样，国内发展碳化硅产业也受到国外技术禁运的限制，尤其是宽禁带半导体器件在jun事领域的应用，这进一步催生了国产替代的迫切需求。国内碳化硅产业在自主创新的推动下，正加速自主研发步伐，以bao障供应链的安全稳定。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
碳化硅外延需经过光刻、沉积、离子注入等前段工艺形成碳化硅晶圆，再经过减薄、封装等后段工艺分别形成碳化硅芯片、功率器件及功率模块。在制程上，SiC芯片与硅基器件的工艺类似，但SiC制备需要特殊设备，如高温离子注入机和高温热处理设备等。刻蚀、减薄等环节也需特殊设备。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展，中國國際先進陶瓷展，3月10日我们共同见证盛会开幕！
在电动汽车主驱逆变器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明显优势，如功率转换效率高、逆变器线圈和电容小型化、降低电机铁损、束线轻量化和节省安装空间等。虽然碳化硅器件价格较高，但其优势可降低整车系统成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci将硅基 IGBT替换为SiC器件，大幅提升汽车逆变器效率，越来越多的车厂如比亚迪、蔚来、小鹏、保时捷等正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会、2025上海國際增材制造应用技术展览会和2025上海國際粉体加工与处理展览会同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！中國國際先進陶瓷展览会，为行业搭建品质的全产业链创新互动平台。2025年3月10日上海世博展览馆！2024上海国际先进陶瓷技术与装备展览会
“2025年中國國際先進陶瓷展览会：粉末冶金及硬质合金展、3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！2024先进陶瓷产业发展高峰论坛
在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到模块中，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合模块和全SiC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相模块、半桥模块等封装形式；按散热方式，可分为单面冷却和双面冷却；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2024先进陶瓷产业发展高峰论坛
