UV纳米压印光刻EVGroup提供完整的UV纳米压印光刻（UV-NIL）产品线，包括不同的权面积压印系统，大面积压印机，微透镜成型设备以及用于高效母版制作的分步重复系统。除了柔软的UV-NIL，EVG还提供其专有的SmartNIL技术以及多种用途的聚合物印模技术。高效，强大的SmartNIL工艺可提供高图案保真度，高度均匀的图案层和蕞少的残留层，并具有易于扩展的晶圆尺寸和产量。EVG的SmartNI技术达到了纳米压印的长期预期，即纳米压印是一种用于大规模生产微米和纳米级结构的高性能，低成本和具有批量生产能力的技术。SmartNIL技术可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。辽宁纳米压印有哪些应用
纳米压印应用三：连续性UV纳米压印EVG770是用于步进重复纳米压印光刻的通用平台，可用于有效地进行母版制作或对基板上的复杂结构进行直接图案化。这种方法允许从蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。与钻石车削或直接写入方法相结合，分步重复刻印通常用于高效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的SmartNIL工艺所需的母版。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。重庆纳米压印国内用户EVG ® 520 HE是热压印系统。
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大达简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。EVG®610和EVG®620NT /EVG®6200NT具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统。
EVG®770特征：微透镜用于晶片级光学器件的高效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL®简单实施不同种类的大师可变抗蚀剂分配模式分配，压印和脱模过程中的实时图像用于压印和脱模的原位力控制可选的光学楔形误差补偿可选的自动盒带间处理EVG®770技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：柔软的UV-NIL曝光源：大功率LED（i线）>100mW/cm²对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500nm和精细校准≤±300nm手个印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印记区域：长达50x50毫米自动分离：支持的前处理：涂层：液滴分配（可选）。SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术。EVG7200LA纳米压印
EVG紫外光纳米压印系统有： EVG®610，EVG®620NT，EVG®6200NT，EVG®720，EVG®7200等。辽宁纳米压印有哪些应用
SmartNIL技术简介SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现无人能比的吞吐量，并具有显着的拥有成本的优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作功能。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。辽宁纳米压印有哪些应用
