13、江崎二极管 （Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生的。如发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”表示“峰”；而下标“V”表示“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。深圳市凯轩业科技原装，线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源。湖北高效率二极管商家
较基本的分类方法。二极管根据其特性分为整流二极管、开关二极管、肖特基势垒二极管、齐纳二极管、用于高频的高频二极管。另外，作为保护元件一般使用齐纳二极管，但随着周边电路的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按原子构造来分类，主要分为现在主流的平面型和耐高压的台面型。二极管有各种各样的形装，大体分为插件形和贴片形使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。福建优势高效率二极管控制芯片选深圳市凯轩业电子，欢迎━(*｀∀´*)ノ亻!亲的到来。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响但为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
早期的二极管也就是半导体的制作工艺是将两个立体的掺杂材料放在一起高温熔接而成，现在的二极管和原来相比只是制作工艺更加精确，让两个相邻的不同掺杂区域组合构成，一个区域是在半导体材料中掺入施主原子产生自由电子的n区域，另一个是掺入受主原子形成有自由空穴的p型区域，两个区域的交界就是二极管的物理结，其电子结包括各区域的狭窄边缘，称为耗尽层也就是上面介绍的PN结，二极管的p型区域为正极，n型区域则相反，大体结构图如下。控制芯片，就选深圳市凯轩业电子科技，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！
较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的较大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。较大反向电流IR：它是二极管在较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。这个电流值越小，表明二极管质量越好。击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。较高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的较高工作频率。深圳市凯轩业科技致力于控制芯片生产研发设计，竭诚为您服务。湖北高效率二极管商家
线性稳压直流电源的特点是：输出电压比输入电压低；反应速度快，输出纹波较小，凯轩业电子。湖北高效率二极管商家
整流二极管还能够起到保护作用，当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流，可以防止接错正负极。整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。湖北高效率二极管商家
