针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点，中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接，结合环氧模塑料（EMC）三重防护层，使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆（Reconstituted Wafer）技术，将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布，材料利用率提升至92%，较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产，单月产能达500万颗。中清航科芯片封装技术，支持多引脚设计，满足芯片高集成度需求。cob芯片封装
常见芯片封装类型 - DIP：DIP 即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过 100 个。采用 DIP 封装的芯片有两排引脚，可插入具有 DIP 结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合 PCB 上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在 DIP 封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的 DIP 封装产品。芯片封装公司中清航科芯片封装方案，适配边缘计算设备，平衡性能与功耗需求。
中清航科部署封装数字孪生系统，通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中，球径一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟，产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求，中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工，4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1，阻抗控制在30mΩ以下，满足GDDR6X 1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合，使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO 10993认证，已用于动态心电图贴片量产。
针对Micro LED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科聚焦芯片封装，用绿色工艺，降低生产过程中的能耗与排放。
芯片封装在人工智能领域的应用：人工智能芯片对算力、能效比有极高要求，这对芯片封装技术提出了更高挑战。中清航科针对人工智能芯片的特点，采用先进的 3D 封装、SiP 等技术，提高芯片的集成度和算力，同时优化散热设计，降低功耗。公司为人工智能领域客户提供的封装解决方案，已成功应用于深度学习服务器、智能安防设备等产品中，助力人工智能技术的快速发展和应用落地。想要了解更多内容可以关注我司官网，同时欢迎新老客户来电咨询。芯片封装防干扰至关重要，中清航科电磁屏蔽技术，保障复杂环境稳定。上海金属封装企业
芯片封装良率影响成本，中清航科工艺改进，将良率提升至行业前列。cob芯片封装
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（Hybrid Bonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO 26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。cob芯片封装
中清航科（江苏）科技有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在江苏省等地区的数码、电脑中汇聚了大量的人脉以及**，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是比较好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同中清航科科技供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！
