随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3D SiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。上海铝硅电子封装料
先进芯片封装技术 - 晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆上进行封装工艺，实现了芯片尺寸与封装尺寸的接近，减小了封装体积，提高了封装密度。与传统先切割晶圆再封装不同，它是先封装后切割晶圆。中清航科的晶圆级封装技术处于行业前沿，能够为客户提供高集成度、小型化的芯片封装产品，在物联网、可穿戴设备等对芯片尺寸和功耗要求苛刻的领域具有广阔应用前景。想要了解更多内容可以关注我司官网，另外有相关需求欢迎随时联系。江苏封装工厂中清航科芯片封装技术，通过电磁兼容设计，降低多芯片间信号干扰。
常见芯片封装类型 - PQFP：PQFP 是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在 100 个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用 SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP 适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的 PQFP 封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。中清航科芯片封装工艺，通过材料复合创新，平衡硬度与柔韧性需求。
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（Hybrid Bonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO 26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。中清航科聚焦芯片封装，用仿真预判风险，缩短研发验证周期。江苏封装陶瓷管壳参数
中清航科深耕芯片封装，以可靠性设计，助力芯片在极端环境工作。上海铝硅电子封装料
针对Micro LED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。上海铝硅电子封装料
