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封装基本参数
  • 品牌
  • 中清航科
  • 服务内容
  • 封装
  • 版本类型
  • 定制
封装企业商机

中清航科超细间距倒装焊工艺突破10μm极限。采用激光辅助自对准技术,使30μm微凸点对位精度达±1μm。在CIS图像传感器封装中,该技术消除微透镜偏移问题,提升低光照下15%成像质量。中清航科开发出超薄中心less基板,厚度100μm。通过半加成法(mSAP)实现2μm线宽/间距,传输损耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天线封装方案已通过CTIAOTA认证,辐射效率达72%。为响应欧盟RoHS2.0标准,中清航科推出无铅高可靠性封装方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸点,熔点138℃且抗跌落性能提升3倍。其绿色电镀工艺使废水重金属含量降低99%,获三星Eco-Partner认证。中清航科聚焦芯片封装,用绿色工艺,降低生产过程中的能耗与排放。江苏wcsp晶圆级封装

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为应对Chiplet集成挑战,中清航科推出自主知识产权的混合键合(HybridBonding)平台。采用铜-铜直接键合工艺,凸点间距降至5μm,互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽,功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中,烧结层导热系数达250W/mK,耐受温度600℃,使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证,成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。浙江晶圆 测试 封装 切割微型芯片封装难度大,中清航科微缩技术,实现小体积承载强性能。

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中清航科部署封装数字孪生系统,通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中,球径一致性控制±3μm,位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟,产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求,中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工,4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1,阻抗控制在30mΩ以下,满足GDDR6X1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合,使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO10993认证,已用于动态心电图贴片量产。

面向CPO共封装光学,中清航科开发硅光芯片耦合平台。通过亚微米级主动对准系统,光纤-光栅耦合效率>85%,误码率<1E-12。单引擎集成8通道112GPAM4,功耗降低45%。中清航科微流控生物芯片封装通过ISO13485认证。采用PDMS-玻璃键合技术,实现5μm微通道密封。在PCR检测芯片中,温控精度±0.1℃,扩增效率提升20%。针对GaN器件高频特性,中清航科开发低寄生参数QFN封装。通过金线键合优化将电感降至0.2nH,支持120V/100A器件在6GHz频段工作。电源模块开关损耗减少30%。边缘计算芯片求小求省,中清航科微型封装,适配终端设备空间限制。

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随着摩尔定律逼近物理极限,先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装(FOWLP)领域实现突破,通过重构晶圆级互连架构,使I/O密度提升40%,助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上,为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增,中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺,实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域,其散热增强型封装结构使热阻降低35%,功率密度提升至8W/mm²,满足超算芯片的严苛要求。射频芯片封装难度大,中清航科阻抗匹配技术,减少信号反射提升效率。江苏金属陶瓷封装

中清航科聚焦芯片封装,用环保材料替代,响应绿色制造发展趋势。江苏wcsp晶圆级封装

与中清航科合作的商机展望:随着半导体行业的持续发展,芯片封装市场需求日益增长。中清航科作为芯片封装领域的佼佼者,凭借其优越的技术实力、质优的产品和服务,为合作伙伴提供了广阔的商机。无论是芯片设计公司希望将设计转化为高质量的成品芯片,还是电子设备制造商寻求可靠的芯片封装供应商,与中清航科合作都能实现优势互补,共同开拓市场,在半导体产业蓬勃发展的浪潮中,携手创造更大的商业价值。有相关需求欢迎随时联系我司。江苏wcsp晶圆级封装

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