海口内埋式应变计监测系统

半导体应变计，将半导体应变计安装在被测构件上，在构件承受载荷而产生应变时，其电阻将发生变化。半导体应变计就是以这种压阻效应作为理论基础的，其敏感栅由锗或硅等半导体材料制成。这种应变计可分为体型和扩散型两种。前者的敏感栅由单晶硅或锗等半导体经切片和腐蚀等方法制成，后者的敏感栅则是将杂质扩散在半导体材料中制成的。半导体应变计的优点是灵敏系数大，机械滞后和蠕变小，频率响应高;缺点是电阻温度系数大，灵敏系数随温度而有名变化，应变和电阻之间的线性关系范围小。正确选择半导体材料和改进生产工艺，这些缺点可望得到克服。半导体应变计多用于测量小的应变（10-1微应变到数百微应变），已普遍用于应变测量和制造各种类型的传感器（见电阻应变计式传感器）。振弦式应变计具有抗压、抗径向力等特点。海口内埋式应变计监测系统

多向应变计是用于长期埋设在水工结构物或其它混凝土结构物内，测量结构物内部各个方向上的应变量，并可同步测量埋设点的温度的振弦式传感器。振弦式应变计有智能识别功能。工作原理：当被测结构物内部的应力发生变化时，应变计同步感受变形，变形通过前、后端座传递给振弦转变成振弦应力的变化，从而改变振弦的振动频率。电磁线圈激振振弦并测量其振动频率，频率信号经电缆传输至读数装置，即可测出被测结构物内部各个方向上的应变量。同时可同步测出埋设点的温度值。天津应变计行情表面（应变）计适用于长期布设在水工结构物或其它结构物的表面。

应变计敏感栅材料和基底材料的选择：60℃以内、长时间、较应变量在1000μm/m以下的应变测量，一般选用以康铜合金或卡玛合金箔为敏感栅、改性酚醛或聚酰亚胺为基底的应变计(BE、ZF、BA及日用衡器类应变计系列）；150℃以内的应变测量，一般选用以康铜、卡玛合金箔为敏感栅、聚酰亚胺为基底的应变计（BA系列）；60℃以内高精度传感器常用以康铜合金或卡玛合金箔为敏感栅、改性酚醛为基底的应变计（BF、ZF系列）。应变计敏感栅结构型式的选择：测量未知主应力方向试件的应变或测量剪应变时选用多轴应变计，前者可用三轴互相夹角为45°，或60°，或120°等的应变计，后者用夹角为90°的二轴应变计；测量已知主应力方向试件的应变时，可选用单轴应变计；用于压力传感器的应变计可选用圆形敏感栅的多轴应变计；测量应力分布时，可选用排列成串或成行的5～10个敏感栅的多轴应变计。

压电应变计的工作原理就是晶体的压电效应——应变产生电荷的现象。压电应变计的基本结构就是在两个电极之间夹一块压电晶体。当有压力作用时，即产生应变，并同时在两个电极上出现电荷和电压（正压电效应）；相反，当在两个电极上施加电压时，即将引起应变和机械运动（逆压电效应）。一般的压电应变计即是应用正压电效应；而机械波发生器等即是利用逆压电效应。常用的压电晶体材料有石英、氧化锌、电气石和某些陶瓷（如钛酸钡、锆钛酸铅）。压电应变计的优点：这种传感器是能够自动产生电荷，但是这些电荷会逐渐泄漏，所以它是一种动态工作的元件。因此，压电应变计能很好地应用于动态系统（如加速度计、清洗器等）和感测冲击、振动和碰撞，也可用作为叉指式换能器。压电应变计的工作原理就是晶体的压电效应——应变产生电荷的现象。

薄膜应变计，薄膜应变计的“薄膜”不是指用机械压延法所得到的薄膜，而是用诸如真空蒸发、溅射、等离子化学气相淀积等薄膜技术得到的薄膜。它是通过物理方法或化学/电化学反应，以原子，分子或离子颗粒形式受控地凝结于一个固态支撑物(即基底)上所形成的薄膜固体材料。其厚度约在数十埃至数微米之间。薄膜若按其厚度可分为非连续金属膜、半连续膜和连续膜。薄膜应变计的制造主要是成膜工艺，如溅射、蒸发、光刻、腐蚀等。其工艺环节少，工艺周期较短，成品率高，因而获得普遍的应用。振弦式小型应变计用于测量应变的变化。海口钢筋应变计厂家

单轴应变计：单轴应变计一般是指具有一个敏感栅的应变计。海口内埋式应变计监测系统

振弦式表面应变计用于监测应变的变化，当弹性模量已知时，可评估应力变化。弦式应变计，用于监测应变情况，如已知被测材料的弹性模量，还可评估应力情况。通常用于：1、钢结构：桁架、钢桩、管道、压力容器。2、混凝土结构：桥梁、挡土墙、水工结构。3、地下及水下支撑结构、衬砌、码头、巷道底板。产品特性：1、长期可靠性。2、高分辨率和高精度。3、3000微应变，钢弦张力可调。4、非常高的柔量或非常小的弹性模量。5、坚固的钢结构。6、安装容易。7、安装块的选择:焊接，锚栓，或灌浆。8、有温度读数。9、频率信号易于处理并适合长距离传输。海口内埋式应变计监测系统