随着芯片轻薄化趋势，中清航科DBG（先切割后研磨）与SDBG（半切割后研磨）设备采用渐进式压力控制技术，切割阶段只切入晶圆1/3厚度，经背面研磨后自动分离。该方案将100μm以下晶圆碎片率降至0.01%，已应用于5G射频模块量产线。冷却液纯度直接影响切割良率。中清航科纳米级过滤系统可去除99.99%的0.1μm颗粒，配合自主研发的抗静电添加剂，减少硅屑附着造成的短路风险。智能温控模块维持液体粘度稳定，延长刀片寿命200小时以上呢。针对碳化硅晶圆，中清航科激光改质切割技术突破硬度限制。湖州碳化硅陶瓷晶圆切割刀片
中清航科开放6条全自动切割产线，支持从8英寸化合物半导体到12英寸逻辑晶圆的来料加工。云端订单系统实时追踪进度，平均交货周期48小时，良率承诺99.2%。先进封装RDL层切割易引发铜箔撕裂。中清航科应用超快飞秒激光（脉宽400fs）配合氦气保护，在铜-硅界面形成纳米级熔融区，剥离强度提升5倍。中清航科搭建全球较早切割工艺共享平台，收录3000+材料参数组合。客户输入晶圆类型/厚度/目标良率，自动生成比较好参数包，工艺开发周期缩短90%。南京砷化镓晶圆切割宽度采用中清航科激光隐形切割技术，晶圆分片效率提升40%以上。
针对晶圆切割过程中的静电防护问题，中清航科的设备采用全流程防静电设计。从晶圆上料的导电吸盘到切割区域的离子风扇，再到下料区的防静电输送轨道，形成完整的静电防护体系，将设备表面静电电压控制在50V以下，有效避免静电对敏感芯片造成的潜在损伤。中清航科的晶圆切割设备具备强大的数据分析能力，内置数据挖掘模块可对历史切割数据进行深度分析，识别影响切割质量的关键因素，如环境温度波动、晶圆批次差异等，并自动生成工艺优化建议。通过持续的数据积累与分析，帮助客户不断提升切割工艺水平，实现持续改进。
GaN材料硬度高且易产生解理裂纹。中清航科创新水导激光切割（WaterJetGuidedLaser），利用高压水柱约束激光束，冷却与冲刷同步完成。崩边尺寸<8μm，热影响区只2μm，满足射频器件高Q值要求。设备振动导致切割线宽波动。中清航科应用主动磁悬浮阻尼系统，通过6轴加速度传感器实时生成反向抵消力，将振幅压制在50nm以内。尤其适用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光学器件晶圆需避免边缘微裂纹影响透光率。中清航科紫外皮秒激光系统（波长355nm）配合光束整形模块，实现吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破摄像头模组良率瓶颈。5G射频芯片切割中清航科特殊工艺，金线偏移量＜0.8μm。
面对高温高湿等恶劣生产环境，中清航科对晶圆切割设备进行了特殊环境适应性改造。设备电气系统采用三防设计（防潮湿、防霉菌、防盐雾），机械结构采用耐腐蚀材料，可在温度30-40℃、湿度60-85%的环境下稳定运行，特别适用于热带地区半导体工厂及特殊工业场景。晶圆切割的刀具损耗是影响成本的重要因素，中清航科开发的刀具寿命预测系统，通过振动传感器与AI算法实时监测刀具磨损状态，提前2小时预警刀具更换需求，并自动推送比较好的更换时间窗口，避免因刀具突然失效导致的产品报废，使刀具消耗成本降低25%。晶圆切割后清洗设备中清航科专利设计，残留颗粒＜5个/片。湖州碳化硅陶瓷晶圆切割刀片
晶圆切割培训课程中清航科每月开放，已认证工程师超800名。湖州碳化硅陶瓷晶圆切割刀片
为提升芯片产出量，中清航科通过刀片动态平衡控制+激光辅助定位，将切割道宽度从50μm压缩至15μm。导槽设计减少材料浪费，使12英寸晶圆有效芯片数增加18%，明显降低单颗芯片制造成本。切割产生的亚微米级粉尘是电路短路的元凶。中清航科集成静电吸附除尘装置，在切割点10mm范围内形成负压场，配合离子风刀清理残留颗粒，洁净度达Class1标准（>0.3μm颗粒<1个/立方英尺）。中清航科设备内置AOI（自动光学检测）模块，采用多光谱成像技术实时识别崩边、微裂纹等缺陷。AI算法在0.5秒内完成芯片级判定，不良品自动标记，避免后续封装资源浪费，每年可为客户节省品质成本超百万。湖州碳化硅陶瓷晶圆切割刀片
