安徽晶圆加热盘

针对晶圆清洗后的烘干环节，国瑞热控**加热盘以洁净高效的特性适配严苛需求。产品采用高纯不锈钢基材，表面经电解抛光与钝化处理，粗糙度 Ra 小于 0.2μm，减少水分子附着与杂质残留。加热面采用蜂窝状导热结构，使热量均匀分布，晶圆表面温度差控制在 ±2℃以内，避免因局部过热导致的晶圆翘曲。温度调节范围覆盖 50℃至 150℃，支持阶梯式升温程序，适配不同清洗液的烘干需求。设备整体采用无死角结构设计，清洁时*需用高纯酒精擦拭即可，符合半导体制造的高洁净标准，为清洗后晶圆的干燥质量与后续工艺衔接提供保障。个性化定制服务，根据工艺需求特殊设计，完美匹配应用。安徽晶圆加热盘

针对等离子体刻蚀环境的特殊性，国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构，表面硬度达莫氏 9 级，可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝，经后嵌工艺固定，避免高温下电极氧化影响加热性能，工作温度范围覆盖室温至 500℃，控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道，与加热元件形成热平衡调节系统，快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构，电气强度达 2000V/1min，在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定，适配中微半导体刻蚀机等主流设备，为图形转移工艺提供可靠温控。奉贤区晶圆级陶瓷加热盘定制结构设计紧凑合理，安装维护简便快捷，有效提升设备使用效率。

针对碳化硅衬底生长的高温需求，国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术，**温度梯度可控性差的行业难题。加热盘主体选用耐高温石墨基材，表面喷涂碳化硅涂层，在 2200℃高温下仍保持结构稳定，热导率达 180W/mK，适配 PVT 法、TSSG 法等主流生长工艺。内部划分 12 个**温控区域，每个区域控温精度达 ±2℃，通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率，助力 8 英寸碳化硅衬底量产。设备配备石墨隔热屏与真空密封结构，在 10⁻⁴Pa 真空环境下无杂质释放，与晶升股份等设备厂商联合调试适配，使衬底生产成本较进口方案降低 30% 以上，为新能源汽车、5G 通信等领域提供**材料支撑。

针对半导体载板制造中的温控需求，国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理，表面硬度达 HRC50 以上，耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设计，加热面温度均匀性达 ±1℃，温度调节范围 40℃-180℃，适配载板预加热、树脂固化等环节。配备真空吸附系统，可牢固固定不同尺寸载板（50mm×50mm 至 300mm×300mm），避免加工过程中位移导致的精度偏差。与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作，支持 BT 树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工，为 Chiplet 封装、扇出型封装提供高质量载板保障。设计生产精益求精，温度一致性优，动态响应能力出色。

针对 12 英寸及以上大尺寸晶圆的制造需求，国瑞热控大尺寸半导体加热盘以创新结构设计实现高效温控。产品采用多模块拼接式结构，单模块加热面积可达 1500cm²，通过标准化接口可灵活组合成更大尺寸加热系统，适配不同产能的生产线需求。每个模块配备**温控单元，通过**控制系统协同工作，确保整个加热面温度均匀性控制在 ±1.5℃以内。采用轻量化**度基材，在保证结构稳定性的同时降低设备重量，便于安装与维护。表面经精密加工确保平整度，与大尺寸晶圆完美贴合，减少热传导损耗，为先进制程中大规模晶圆的均匀加热提供可靠解决方案。高精度温控可达±1℃，满足半导体等严苛工艺需求。上海半导体加热盘

升温迅速表面温差小，配备过热保护功能，确保使用安全，为设备护航。安徽晶圆加热盘

面向半导体热压键合工艺，国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量。采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构，加热面平面度误差小于 0.005mm，确保键合区域压力均匀传递。温度调节范围室温至 400℃，升温速率达 40℃/ 秒，可快速达到键合温度并保持稳定（温度波动 ±0.5℃），适配金 - 金、铜 - 铜等不同金属键合工艺。配备压力传感器与位移监测模块，实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移，通过闭环控制实现压力（0.1-10MPa）与温度的精细匹配。与 ASM 太平洋键合设备适配，使键合界面电阻降低至 5mΩ 以下，为高可靠性芯片互联提供保障。安徽晶圆加热盘

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