将电子束曝光技术与深紫外发光二极管的光子晶体结构制备相结合，是研究所的另一项应用探索。光子晶体可调控光的传播方向，提升器件的光提取效率，科研团队通过电子束曝光在器件表面制备亚波长周期结构，研究周期参数对光提取效率的影响。利用光学测试平台，对比不同光子晶体图形下器件的发光强度，发现特定周期的结构能使深紫外光的出光效率提升一定比例。这项工作展示了电子束曝光在光学功能结构制备中的独特优势，为提升光电子器件性能提供了新途径。电子束曝光在半导体领域主导光罩精密制作及第三代半导体器件的亚纳米级结构加工。福建高分辨电子束曝光厂商
电子束曝光实现智慧农业传感器可持续制造。基于聚乳酸的可降解电路板通过仿生叶脉布线优化结构强度，6个月自然降解率达98%。多孔微腔湿度传感单元实现±0.5%RH精度，土壤氮磷钾浓度检测限达0.1ppm。太阳能自供电系统通过分形天线收集环境电磁能，在无光照条件下续航90天。万亩农田测试表明该传感器网络减少化肥用量30%，增产15%。电子束曝光推动神经界面实现长期稳定记录。聚酰亚胺电极表面的微柱阵列引导神经胶质细胞定向生长，形成生物-电子共生界面。离子凝胶电解质层消除组织排异反应，在8周实验中信号衰减控制在8%以内。多通道神经信号处理器整合在线特征提取算法，癫痫发作预警准确率99.3%。该技术为帕金森病闭环疗愈提供技术平台，已在猕猴实验中实现运动障碍实时调控。广东纳米器件电子束曝光加工工厂电子束曝光提升热电制冷器界面传输效率与可靠性。
广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备，在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统，具备纳米级分辨率，可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半导体材料的特性，研究电子束能量与曝光剂量对图形转移精度的影响，通过调整加速电压与束流参数，在 2-6 英寸晶圆上实现了亚微米级图形的稳定制备。借助设备总值逾亿元的科研平台，团队能够对曝光后的图形进行精细表征，为工艺优化提供数据支撑，目前已在深紫外发光二极管的电极图形制备中积累了多项实用技术参数。
研究所将电子束曝光技术应用于 IGZO 薄膜晶体管的沟道图形制备中，探索其在新型显示器件领域的应用潜力。IGZO 材料对曝光过程中的电子束损伤较为敏感，科研团队通过控制曝光剂量与扫描方式，减少电子束与材料的相互作用对薄膜性能的影响。利用器件测试平台，对比不同曝光参数下晶体管的电学性能，发现优化后的曝光工艺能使器件的开关比提升一定幅度，阈值电压稳定性也有所改善。这项应用探索不仅拓展了电子束曝光的技术场景，也为新型显示器件的高精度制备提供了技术支持。电子束刻蚀实现声学超材料宽频可调谐结构制造。
围绕电子束曝光的套刻精度控制，科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中，各层图形的对准精度直接影响器件性能，团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法，将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的表征设备，可精确测量不同层间图形的相对位移，为套刻参数的优化提供量化依据。在第三代半导体功率器件的研发中，该技术确保了源漏电极与沟道区域的精细对准，有效降低了器件的接触电阻，相关工艺参数已纳入中试生产规范。电子束刻合提升微型燃料电池的界面质子传导效率。广东纳米器件电子束曝光加工工厂
电子束曝光在芯片热管理领域实现微流道结构传热效率突破性提升。福建高分辨电子束曝光厂商
太赫兹通信系统依赖电子束曝光实现电磁波束赋形技术革新。在硅-液晶聚合物异质集成中构建三维螺旋谐振单元阵列，通过振幅相位双调控优化波前分布。特殊设计的渐变介电常数结构突破传统天线±30°扫描角度限制，实现120°广域覆盖与零盲区切换。实测0.3THz频段下轴比优化至1.2dB，辐射效率超80%，比金属波导系统体积缩小90%。在6G天地一体化网络中，该天线模块支持20Gbps空地数据传输，误码率降至10⁻¹²。电子束曝光推动核电池向微型化、智能化演进。通过纳米级辐射阱结构设计优化放射源空间排布，在金刚石屏蔽层内形成自屏蔽通道网络。多级安全隔离机制实现辐射泄漏量百万分级的突破，在医用心脏起搏器中可保障十年期安全运行。独特的热电转换结构使能量利用效率提升至8%，同等体积下功率密度达传统化学电池的50倍，为深海探测器提供全气候自持能源。福建高分辨电子束曝光厂商
