RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源应用领域在生物医疗器件,特别是微流控芯片、体外诊断(IVD)设备和植入式器械的制造中,扮演着表面功能化改性的重要角色。许多高分子聚合物(如PDMS、PC、COC)因其优异的生物相容性和易加工性被广 使用,但其表面通常呈疏水性,不利于细胞粘附或液体流动。RPS远程等离子源通过氧气或空气产生的氧自由基,能够高效地在这些聚合物表面引入大量的极性含氧基团(如羟基、羧基),从而将其从疏水性长久性地改变为亲水性。这种处理均匀、彻底,且不会像直接等离子体那样因过热和离子轰击对精细的微流道结构造成损伤。经过RPS处理的微流控芯片,其亲水通道可以实现无需泵驱动的毛细管液流,极大地简化了设备结构,提升了检测的可靠性和灵敏度。用于医疗器械制造中生物相容性表面的活化处理。浙江晟鼎RPS冗余电源

浙江晟鼎RPS冗余电源,RPS

远程等离子体源(RPS)是一种用于产生等离子体的装置,它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。如在CVD等薄膜设备中,RPS与设备腔体连接,进行分子级的清洗。在晶圆制造过程中,即使微米级的灰尘也会造成晶体管污染,导致晶圆废片,因此RPS的清洁性能尤为重要。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤,还因其高度的集成性和灵活性,成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。湖北推荐RPS腔室清洗为功率电子封装提供低热阻界面。

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RPS远程等离子源在医疗器械制造中的洁净保障在手术机器人精密零件清洗中,RPS远程等离子源采用特殊气体配方,将生物相容性提升至ISO10993标准。通过O2/H2O远程等离子体处理,将不锈钢表面细菌附着率降低99.9%。在植入式医疗器械制造中,RPS远程等离子源实现的表面洁净度达到ISO14644-1Class4级别,确保器件通过EC认证要求。RPS远程等离子源在新能源电池制造中的创新工艺在固态电池制造中,RPS远程等离子源通过Li/Ar远程等离子体活化电解质界面,将界面阻抗从1000Ω·cm²降至50Ω·cm²。在锂箔处理中,采用CF4/O2远程等离子体生成人工SEI膜,将循环寿命提升至1000次以上。量产数据显示,采用RPS远程等离子源处理的固态电池,能量密度达500Wh/kg,倍率性能提升3倍。

RPS远程等离子源(Remote Plasma Source)是一种先进的等离子体生成技术,其主要 在于将等离子体的生成区与反应区进行物理分离。这种设计通过电磁场激发工作气体(如氧气、氮气或氩气)产生高密度的等离子体,随后利用气流将活性自由基输送到反应腔室中。由于等离子体生成过程远离工件,RPS远程等离子源能够有效避免高能离子和电子对敏感器件的直接轰击,从而明显 降低损伤风险。在高级 制造领域,例如半导体晶圆清洗或薄膜沉积后的腔室维护,RPS远程等离子源凭借其均匀的活性粒子分布和精确的工艺控制,成为提升良品率的关键工具。此外,该技术还支持多种气体组合,适应复杂的工艺需求,帮助用户实现高效、低污染的清洁和刻蚀应用。用于气体传感器敏感薄膜的沉积后处理。

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远程等离子体源RPS腔体结构,包括进气口,点火口,回流腔连通电离腔顶端与进气腔靠近进气口一侧顶部,气体由进气口进入经过进气腔到达电离腔,点火发生电离反应生成氩离子然后通入工艺气体,通过出气口排出至反应室内,部分电离气体经回流腔流至进气腔内,提高腔体内部电离程度,以便于维持工艺气体的电离,同时可提高原子离化率;电离腔的口径大于进气腔,气体在进入电离腔内部时降低了压力,降低了F/O原子碰撞导致的原子淬灭问题,保证电离率,提高清洁效率。RPS为了避免不必要的污染和工作人员的强度和高风险的湿式清洗工作,提高生产效率。上海远程等离子源RPS冗余电源

在微透镜阵列制造中实现精确图形化。浙江晟鼎RPS冗余电源

随着3D NAND堆叠层数突破500层,深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力,可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数,在保持刻蚀选择比大于100:1的同时,将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后,将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%,单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中,RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性(<150℃)有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀,实现了GaN材料的各向异性刻蚀,侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级,明显 提升了器件跨导和截止频率。浙江晟鼎RPS冗余电源

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