为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。芯片封装需精密工艺，中清航科以创新技术提升散热与稳定性，筑牢芯片性能基石。江苏模块封装厂
常见芯片封装类型-PQFP：PQFP是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在100个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的PQFP封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。浙江qfp封装功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。
芯片封装在物联网领域的应用：物联网设备通常具有小型化、低功耗、低成本的特点，对芯片封装的要求独特。中清航科的晶圆级封装技术在物联网领域大显身手，该技术能实现芯片的超小型化和低功耗，满足物联网设备对尺寸和功耗的严格要求。同时，公司为物联网传感器芯片提供的封装方案，能提高传感器的灵敏度和可靠性，确保物联网设备在复杂环境下的数据采集和传输准确性。想要了解更多内容可以关注我司官网，同时欢迎新老客户来电咨询。中清航科芯片封装技术，支持系统级封装，实现芯片与被动元件一体化。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。江苏光器件封装
芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。江苏模块封装厂
中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。江苏模块封装厂
