针对5nm芯片200W+热功耗挑战，中清航科开发嵌入式微流道冷却封装。在2.5D封装中介层内蚀刻50μm微通道，采用两相冷却液实现芯片级液冷。实测显示热点温度降低48℃，同时节省80%外部散热空间，为AI服务器提供颠覆性散热方案。基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术，中清航科推出毫米波天线集成封装。将24GHz雷达天线阵列直接封装于芯片表面，信号传输距离缩短至0.2mm，插损低于0.5dB。该方案使77GHz车规雷达模块尺寸缩小60%，量产良率突破95%行业瓶颈。中清航科芯片封装方案，适配物联网设备，兼顾低功耗与小型化。浙江国产芯片封装厂家
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。浙江国产芯片封装厂家医疗芯片求稳求精，中清航科封装方案，满足高可靠性与生物兼容性。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。中清航科芯片封装技术，支持多引脚设计，满足芯片高集成度需求。
中清航科部署封装数字孪生系统，通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中，球径一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟，产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求，中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工，4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1，阻抗控制在30mΩ以下，满足GDDR6X1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合，使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO10993认证，已用于动态心电图贴片量产。中清航科芯片封装团队，攻克精密焊接难题，保障芯片内部连接稳定。上海引线键合封装
中清航科深耕芯片封装，与上下游协同，构建从设计到制造的完整生态。浙江国产芯片封装厂家
在LED照明与显示技术不断革新的背景下，COB(ChiponBoard，板上芯片封装)技术凭借高集成度、均匀出光等优势，成为行业焦点。众多LED封装厂家围绕COB技术展开研发与实践，实现了多项关键突破。散热性能提升是COB技术突破的重要方向。传统封装中，热量积聚易导致光衰加速、寿命缩短。厂家通过改进基板材料，采用高导热陶瓷基板或金属基复合材料，大幅降低热阻;同时优化芯片布局与封装结构，构建高效散热通道，使COB模组的工作温度明显降低，有效提升了产品稳定性与使用寿命。浙江国产芯片封装厂家
