国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡,每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域(如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG)的SoC,GT600可为每个域分配**SMU通道,实现各电源域**上电/断电、不同电压值(如1.8V、1.2V、0.9V)同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电(如先VDD_IO,后VDD_CORE)以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间,精确设置各域电压的上升延迟(精度达ms级),验证SoC在正确与错误时序下的行为,确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗,可用于识别某电源域的异常功耗(如漏电、短路)、分析不同工作模式(运行、睡眠、唤醒)下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压(如±5%波动),测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性,评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源(如高压模拟域),可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块,实现与GT600内部SMU的同步操作,构建完整的多电源域测试系统。电压上升速度快,100V只需2毫秒!湘潭导电阳极丝测试系统按需定制

每通道PPMU:芯片健康的“精密听诊器” 。杭州国磊GT600的每通道集成PPMU(参数测量单元),是其高精度测试的**。PPMU可在FVMI(强制电压测电流)模式下,精确测量nA级静态漏电流(Iddq),相当于检测每秒流过数亿个电子的微小电流。在手机芯片测试中,这能识别因工艺缺陷导致的“待机耗电”问题,确保续航达标。在FIMV(强制电流测电压)模式下,可验证电源调整率,防止芯片在高负载下电压跌落导致死机。PPMU还支持快速哨兵测试(Quick Sentinel),在毫秒内完成所有引脚的开路/短路检测,大幅提升初筛效率。对于AI芯片,PPMU可逐核测量功耗,筛选出“能效比较好”**。这一“每引脚级”测量能力,让杭州国磊GT600成为芯片可靠性的“***守门人”。长沙SIR测试系统定制监测参数齐全,包括电阻、电流、电压、温湿度等,一目了然。

AI芯片市场竞争激烈,测试成本直接影响产品定价与市场渗透率。GT600支持高达512 Sites的并行测试能力,意味着单次测试可同时验证数百颗芯片,将单位测试时间压缩至传统设备的1/10以下。结合其高稳定性与自动化软件平台,整体测试成本可降低70%以上。这一优势对年出货量达百万级的边缘AI芯片、智能摄像头主控、机器人控制器等产品尤为关键。杭州国磊通过GT600构建的“超级测试流水线”,不仅提升了国产芯片的量产效率,更增强了中国AI硬件在全球市场的价格竞争力,真正实现“测得起、卖得快、走得远”。
GT600SoC测试机在测试高可靠性产品(如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片)时,展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势,确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先,高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU(参数测量单元),可精确测量nA级静态漏电流(Iddq),识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常,但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查,提前剔除隐患,大幅提升产品早期失效率(InfantMortality)的控制能力。其次,支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试(Burn-in),在高温高压下运行芯片数百小时,加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境,验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品,高精度TMU(10ps分辨率)可检测信号时序漂移,确保长期通信无误码。再次,高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余,散热优良,支持7x24小时连续运行,可执行长达数周的耐久性测试,模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断,数据完整。***,数据可追溯性强。 您的产品需要经历高温高湿环境的考验吗?

国产替代的“自主基石” 在美国对华**半导体设备禁运的背景下,国产测试机成为“卡脖子”环节的突围重点。杭州国磊GT600作为国产**SoC测试平台,支持C++编程、Visual Studio开发环境,软件系统开放可控,避免依赖国外“黑盒子”软件。其硬件架构灵活,16个通用插槽可适配国产探针台、分选机,实现全链路本土化集成。交期短、响应快、可定制,满足华为、比亚迪等企业对供应链安全与数据保密的严苛要求。杭州国磊GT600的出现,标志着中国在**测试设备领域从“跟跑”向“并跑”迈进。它不仅是工具,更是中国半导体产业链自主可控战略的“隐形支柱”,为国产芯片的持续创新提供坚实底座。国磊GT600支持可配高精度浮动SMU板卡,可在-2.5V至7V范围内施加电压,并监测各电源域的动态与静态电流。国产替代CAF测试系统工艺
国磊GT600SoC测试机512Sites高并行测试架构,提升集成了HBM的AI/GPU芯片的测试吞吐量。湘潭导电阳极丝测试系统按需定制
测试数据闭环助力量子芯片协同优化,国磊(Guolei)GT600支持STDF、CSV等格式输出,并具备数据分析与图形化显示功能。这些测试数据可与量子芯片的设计仿真平台联动,形成“测试—反馈—优化”闭环。例如,若某批次控制芯片的相位噪声超标,可反向指导量子比特布局或滤波器设计,提升整体系统相干时间。国产化替代保障量子科技供应链安全 量子技术属于国家战略科技力量,其**装备的自主可控至关重要。国磊(Guolei)作为国产**ATE厂商,其GT600系统已实现对国际同类设备(如Advantest、Teradyne)部分功能的替代。湘潭导电阳极丝测试系统按需定制
环境应力测试兼容性,部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊(Guolei)GT600支持与温控探针台/分选机联动,通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选(ESS)。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部,确保在-40℃~125℃范围内稳定运行,满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场,但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊(Guolei)GT600作为国产高性能ATE,已在部分国内MEMS厂商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成...