DDRx接口信号的时序关系
DDR3的时序要求大体上和DDR2类似，作为源同步系统，主要有3组时序设计要求。 一组是DQ和DQS的等长关系，也就是数据和选通信号的时序；一组是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等长关系，也就是时钟和地址控制总线的关系；一组是CLK和DQS的关系， 也就是时钟和选通信号的关系。其中数据和选通信号的时序关系又分为读周期和写周期两个 方向的时序关系。
要注意各组时序的严格程度是不一样的，作为同组的数据和选通信号，需要非常严格的 等长关系。Intel或者一些大芯片厂家，对DQ组的等长关系经常在土25mil以内，在高速的 DDR3设计时，甚至会要求在±5mil以内。相对来说地址控制和时钟组的时序关系会相对宽松 一些，常见的可能有几百mil。同时要留意DQS和CLK的关系，在绝大多数的DDR设计里 是松散的时序关系，DDR3进行Fly-by设计后更是降低了 DQS和CLK之间的时序控制要求。 如何确保DDR3一致性测试的可靠性和准确性？USB测试DDR3测试
DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作电压为2.5V；时钟信号频率为100〜200MHz； 数据信号速率为200〜400 Mbps,通过单端选通信号双边沿釆样；地址/命令/控制信号速率为 100〜200Mbps,通过时钟信号上升沿采样；信号走线都使用树形拓扑，没有ODT功能。
DDR2： DDR2釆用SSTL_18接口，I/O 口工作电压为1.8V；时钟信号频率为200〜 400MHz；数据信号速率为400〜800Mbps,在低速率下可选择使用单端选通信号，但在高速 率时需使用差分选通信号以保证釆样的准确性；地址/命令/控制信号在每个时钟上升沿釆样的 情况下(1T模式)速率为200〜400Mbps,在每个间隔时钟上升沿釆样的情况下(2T模式) 速率减半；信号走线也都使用树形拓扑，数据和选通信号有ODT功能。 海南DDR3测试多端口矩阵测试DDR3内存的一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？
单击Impedance Plot (expanded),展开显示所有网络走线的阻抗彩图。双击彩图 上的任何线段，对应的走线会以之前定义的颜色在Layout窗口中高亮显示。
单击Impedance Table,可以详细查看各个网络每根走线详细的阻抗相关信息，内 容包括走线名称、走线长度百分比、走线阻抗、走线长度、走线距离发送端器件的距离、走 线延时，
单击Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout视图中查看走线的阻抗。在 Layer Selection窗口中单击层名称，可以切换到不同层查看走线阻抗视图。
双击PCB模块打开其Property窗口,切换到LayoutExtraction选项卡，在FileName处浏览选择备好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里选择PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator两种模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信号耦合，考虑非理想电源地的S参数模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想电源地情况下的非耦合信号的SPICE模型。前者模型提取时间长，但模型细节完整，适合终的仿真验证；后者模型提取快，SPICE模型仿真收敛性好，比较适合设计前期的快速仿真迭代。DDR3一致性测试是否会导致操作系统或应用程序崩溃？
DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作电压为1.2V；时钟信号频率为800〜1600MHz； 数据信号速率为1600〜3200Mbps；数据命令和控制信号速率为800〜1600Mbps。DDR4的时 钟、地址、命令和控制信号使用Fly-by拓扑走线；数据和选通信号依旧使用点对点或树形拓 扑，并支持动态ODT功能；也支持Write Leveling功能。
综上所述，DDR1和DDR2的数据和地址等信号都釆用对称的树形拓扑；DDR3和DDR4的数据信号也延用点对点或树形拓扑。升级到DDR2后，为了改进信号质量，在芯片内为所有数据和选通信号设计了片上终端电阻ODT(OnDieTermination)，并为优化时序提供了差分的选通信号。DDR3速率更快，时序裕量更小，选通信号只釆用差分信号。 DDR3一致性测试可以帮助识别哪些问题？海南DDR3测试多端口矩阵测试
是否可以通过重新插拔DDR3内存模块解决一致性问题？USB测试DDR3测试
重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。
在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻，其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置,
(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮，在界面中设置电阻模型后，单击OK按钮赋上电阻模型。
同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。
上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。 USB测试DDR3测试
