广东省科学院半导体研究所依托其微纳加工平台的先进设备，在电子束曝光技术研发中持续发力。该平台配备的高精度电子束曝光系统，具备纳米级分辨率，可满足第三代半导体材料微纳结构制备的需求。科研团队针对氮化物半导体材料的特性，研究电子束能量与曝光剂量对图形转移精度的影响，通过调整加速电压与束流参数，在 2-6 英寸晶圆上实现了亚微米级图形的稳定制备。借助设备总值逾亿元的科研平台，团队能够对曝光后的图形进行精细表征，为工艺优化提供数据支撑，目前已在深紫外发光二极管的电极图形制备中积累了多项实用技术参数。电子束曝光在芯片热管理领域实现微流道结构传热效率突破性提升。天津光波导电子束曝光加工厂
利用高分辨率透射电镜观察，发现量子点的位置偏差可控制在较小范围内，满足量子器件的设计要求。这项研究展示了电子束曝光技术在量子信息领域的应用潜力，为构建高精度量子功能结构提供了技术基础。围绕电子束曝光的环境因素影响，科研团队开展了系统性研究。温度、湿度等环境参数的波动可能影响电子束的稳定性与抗蚀剂性能，团队通过在曝光设备周围建立恒温恒湿环境控制单元，减少了环境因素对曝光精度的干扰。对比环境控制前后的图形制备结果，发现线宽偏差的波动范围缩小了一定比例，图形的长期稳定性得到改善。这些细节上的改进，体现了研究所对精密制造过程的严格把控，为电子束曝光技术的可靠应用提供了保障。贵州光栅电子束曝光服务电子束曝光为光学微腔器件提供亚波长精度的定制化制备解决方案。
研究所将电子束曝光技术应用于 IGZO 薄膜晶体管的沟道图形制备中，探索其在新型显示器件领域的应用潜力。IGZO 材料对曝光过程中的电子束损伤较为敏感，科研团队通过控制曝光剂量与扫描方式，减少电子束与材料的相互作用对薄膜性能的影响。利用器件测试平台，对比不同曝光参数下晶体管的电学性能，发现优化后的曝光工艺能使器件的开关比提升一定幅度，阈值电压稳定性也有所改善。这项应用探索不仅拓展了电子束曝光的技术场景，也为新型显示器件的高精度制备提供了技术支持。
针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用，科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性，团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形，再通过分步刻蚀工艺将图形转移到下层不同材料中，研究刻蚀时间与气体比例对跨材料图形一致性的影响。在氮化物 / 硅异质结器件的制备中，优化后的工艺使不同材料层的图形线宽偏差控制在较小范围内，保证了器件的电学性能。科研团队在电子束曝光设备的国产化适配方面进行了探索。为降低对进口设备的依赖，团队与国内设备厂商合作，测试国产电子束曝光系统的性能参数，针对第三代半导体材料的需求提出改进建议。通过调整设备的控制软件与硬件参数，使国产设备在 6 英寸晶圆上的曝光精度达到实用要求，与进口设备的差距缩小了一定比例。电子束曝光实现太赫兹波段的电磁隐身超材料智能设计制造。
研究所利用电子束曝光技术制备微纳尺度的热管理结构，探索其在功率半导体器件中的应用。功率器件工作时产生的热量需快速散出，团队通过电子束曝光在器件衬底背面制备周期性微通道结构，增强散热面积。结合热仿真与实验测试，分析微通道尺寸与排布方式对散热性能的影响，发现特定结构的微通道能使器件工作温度降低一定幅度。依托材料外延平台，可在制备散热结构的同时保证器件正面的材料质量，实现散热与电学性能的平衡，为高功率器件的热管理提供了新解决方案。电子束曝光能制备超高深宽比X射线光学元件以突破成像分辨率极限。浙江精密加工电子束曝光价钱
电子束曝光在超高密度存储领域实现纳米全息结构的精确编码。天津光波导电子束曝光加工厂
研究所利用其覆盖半导体全链条的科研平台，研究电子束曝光技术在半导体材料表征中的应用。通过在材料表面制备特定形状的测试图形，结合原子力显微镜与霍尔效应测试系统，分析材料的微观力学性能与电学参数分布。在氮化物外延层的表征中，团队通过电子束曝光制备的微纳测试结构，实现了材料迁移率与缺陷密度的局部区域测量，为材料质量评估提供了更精细的手段。这种将加工技术与表征需求结合的创新思路，拓展了电子束曝光的应用价值。天津光波导电子束曝光加工厂
