广西DDR3测试调试

每个 DDR 芯片独享 DQS，DM 信号；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信号。·DDR 工作频率为 133MHz。·DDR 控制器选用 Xilinx 公司的 FPGA，型号为 XC2VP30_6FF1152C。得到这个设计需求之后，我们首先要进行器件选型，然后根据所选的器件，准备相关的设计资料。一般来讲，对于经过选型的器件，为了使用这个器件进行相关设计，需要有如下资料。

· 器件数据手册 Datasheet：这个是必须要有的。如果没有器件手册，是没有办法进行设计的（一般经过选型的器件，设计工程师一定会有数据手册）。 DDR3内存的一致性测试可以修复一致性问题吗？广西DDR3测试调试

· 相关器件的应用手册，ApplicationNote：在这个文档中，厂家一般会提出一些设计建议，甚至参考设计，有时该文档也会作为器件手册的一部分出现在器件手册文档中。但是在资料的搜集和准备中，要注意这些信息是否齐备。

· 参考设计，ReferenceDesign：对于比较复杂的器件，厂商一般会提供一些参考设计，以帮助使用者尽快实现解决方案。有些厂商甚至会直接提供原理图，用户可以根据自己的需求进行更改。

· IBIS 文件：这个对高速设计而言是必需的，获得的方法前面已经讲过。 通信DDR3测试系列如何执行DDR3的一致性测试？

DDRx接口信号的时序关系

DDR3的时序要求大体上和DDR2类似，作为源同步系统，主要有3组时序设计要求。 一组是DQ和DQS的等长关系，也就是数据和选通信号的时序；一组是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等长关系，也就是时钟和地址控制总线的关系；一组是CLK和DQS的关系， 也就是时钟和选通信号的关系。其中数据和选通信号的时序关系又分为读周期和写周期两个 方向的时序关系。

要注意各组时序的严格程度是不一样的，作为同组的数据和选通信号，需要非常严格的 等长关系。Intel或者一些大芯片厂家，对DQ组的等长关系经常在土25mil以内，在高速的 DDR3设计时，甚至会要求在±5mil以内。相对来说地址控制和时钟组的时序关系会相对宽松 一些，常见的可能有几百mil。同时要留意DQS和CLK的关系，在绝大多数的DDR设计里 是松散的时序关系，DDR3进行Fly-by设计后更是降低了 DQS和CLK之间的时序控制要求。

DDR信号的DC和AC特性要求之后，不知道有什么发现没有?对于一般信号而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信号的电平大小问题。但是在DDR中的AC特性规范中，我们可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含义?有些读者可能已经发现，是没有办法从这个指示当中获得准确的电压值的。这是因为，在DDR中，信号的AC特性所要求的不再是具体的电压值，而是一个电源和时间的积分值。影面积所示的大小，而申压和时间的积分值，就是能量!因此，对于DDR信号而言，其AC特性中所要求的不再是具体的电压幅值大小，而是能量的大小!这一点是不同于任何一个其他信号体制的，而且能量信号这个特性，会延续在所有的DDRx系统当中，我们会在DDR2和DDR3的信号体制中，更加深刻地感觉到能量信号对于DDRx系统含义。当然，除了能量的累积不能超过AC规范外，比较大的电压值和小的电压值一样也不能超过极限，否则，无需能量累积，足够高的电压就可以一次击穿器件。DDR3一致性测试是否适用于超频内存模块？

至此，DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮，在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释，连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，则也可以选择Updateo

设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。

On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大，特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同，所以退出控制器 设置窗口后，Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉，表明这两个模块间连接有问题， 暂时不管，等所有模型设置完成后再重新连接。 DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？眼图测试DDR3测试TX/RX

DDR3一致性测试是否适用于笔记本电脑上的内存模块？广西DDR3测试调试

容量与组织：DDR规范还涵盖了内存模块的容量和组织方式。DDR内存模块的容量可以根据规范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR内存模块通常以多个内存芯片排列组成，其中每个内存芯片被称为一个芯粒（die），多个芯粒可以组成密集的内存模块。电气特性：DDR规范还定义了内存模块的电气特性，包括供电电压、电流消耗、输入输出电平等。这些电气特性对于确保DDR内存模块的正常工作和兼容性至关重要。兼容性：DDR规范还考虑了兼容性问题，确保DDR内存模块能够与兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允许支持DDR接口的控制器工作在较低速度的DDR模式下。广西DDR3测试调试