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可控硅模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型号
  • 多种型号
  • 是否定制
可控硅模块企业商机

单向可控硅的检测

  万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。 地理位置优越,交通十分便利。临沂双向可控硅模块供应商

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可控硅模块的使用注意事项

1.在选择可控硅模块的额定电流时,应注意的是,除考虑通过元件的平均电流外,还必须注意正常运行过程中传导角的大小、散热和通风条件等因素,同时,管壳的温度不得超过相应电流的允许值。

2.使用可控硅模块时,使用万用表检查可控硅模块是否处于良好状态,如有短路或断路,应立即更换。

3.严禁使用兆欧表来检查部件的绝缘情况。

4.率大于5A的可控硅模块,应安装散热器,并保证规定的冷却条件。同时,为保证散热器与可控硅模块管芯接触良好,应在两者之间涂一层有机硅油或硅脂,以利于更好的散热。

5.根据规定,主电路中的可控硅模块采用过电压和过电流保护装置。

6.防止控制极正向过载和反向击穿。 淄博快恢复可控硅模块配件淄博正高电气有限公司周边生态环境状况好。

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可控硅模块的接线方法

可控硅模块在电力工业中占有重要地位。很多人知道可控硅模块的优点和使用方法,但不知道如何连接可控硅模块。我们来谈谈可控硅模块的连接方法。

单个晶闸管反向并联。记得增加RC保护电路。控制交流电,单向晶闸管一定要反向并联,因此2和3应短接使用。

可控硅的介绍:

这是一种由三个晶闸管引起的共正晶闸管模块,主要用于三相半波整流电路。

或者三相全控桥可以由一个普通的负三相半波整流器构成。

调速器:红色,蓝色,黑色,3根电线,红色电池正极,黑色电池负极,蓝色连接电机负极,电机正极带一根线到电池正极。

正高可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有两个阳极:一阳极A1(T1),二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

  只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 淄博正高电气有限公司以诚信为根本,以质量服务求生存。

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断一个可控硅元件是否完好,工程师需要从四个方面进行检查,首先是判断该元件的三个PN结应完好,其次是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断不导通,第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通,第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉后仍处于导通状态。满足以上四个条件的可控硅元件,才是符合设计使用要求的。

  想要看一个可控硅元件是否符合以上要求,其实非常简单,只需要用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻,就可对**个方面的好坏进行判断。具体的操作方法是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。 淄博正高电气有限公司欢迎朋友们指导和业务洽谈。湖北可控硅模块

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可控硅模块特点:

1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 临沂双向可控硅模块供应商

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