EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：1E-5 mbar
可选：1E-6 mbar
针对高级封装，MEMS，3D集成等不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个键合模块。浙江EVG810 LT键合机
EVG ® 805解键合系统
用途：薄晶圆解键合
特色
技术数据
EVG805是半自动系统，用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层，该叠层由器件晶圆，载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上，以在工具之间安全可靠地运输。
特征
开放式胶粘剂平台
解键合选项：
热滑解键合
解键合
机械解键合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
薄晶圆处理的独特功能
多种卡盘设计，可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体
高形貌的晶圆处理
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
晶片**/大300 mm
高达12英寸的薄膜
组态
1个解键合模块
选件
紫外线辅助解键合
高形貌的晶圆处理
不同基板尺寸的桥接能力 上海键合机有谁在用EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本（TCO）
键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。
EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。
晶圆键合类型
■ 阳极键合
■ 黏合剂键合
■ 共熔键合
■ 瞬间液相键合
■ 热压键合
EVG键合机特征
■ 基底高达 200mm
■ 压力高达 100 kN
■ 温度高达 550°C
■ 真空气压低至 1·10-6 mbar
■ 可选：阳极，UV固化，650℃加热器
EVG键合机加工服务
EVG设备的晶圆加工服务包含如下：
■ 等离子活化直接键合
■ ComBond®
- 硅和化合物半导体的导电键合
■ 高真空对准键合
■ 临时键合和热、机械或者激光剖离
■ 混合键合
■ 黏合剂键合
■ 集体D2W键合 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。
EVG ® 6200键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站
旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。湖北键合机推荐产品
晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。浙江EVG810 LT键合机
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ 浙江EVG810 LT键合机
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