单结晶体管的主要参数与极性的判断
1．单结晶体管的主要参数
（1）基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为（5~10）KΩ，其数值随温度上升而增大，不同型号的管阻值有较大的差异。
（2）分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。
（3）eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。
（4）反向电流Ieo。在b1开路时，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。
（5）发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时，eb1间的压降。
（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。
储器件的晶体管累积量的增长远远超过非存储器件！长沙型号晶体管
平面晶体管的基区一般都是采用杂质扩散技术来制作的，故其中杂质浓度的分布不均匀（表面高，内部低），将产生漂移电场，对注入到基区的少数载流子有加速运动的良好作用。所以平面晶体管通常也是所谓漂移晶体管。这种晶体管的性能**优于均匀基区晶体管。
传统的平面型晶体管技术，业界也存在两种不同的流派，一种是被称为传统的体硅技术(Bulk SI)，另外一种则是相对较新的绝缘层覆硅(SOI)技术。平面Bulk CMOS和FD-SOI曾在22nm节点处交锋了。其中，Bulk CMOS是*****的，也是成本比较低的一种选择，因此它多年来一直是芯片行业的支柱。但随着技术的推进，Bulk CMOS晶体管容易出现一种被称为随机掺杂波动的现象。Bulk CMOS晶体管也会因此可能会表现出与其标称特性不同的性能，并且还可能在阈值电压方面产生随机差异。解决这个问题的一种方法是转向完全耗尽的晶体管类型，如FD-SOI或FinFET。
苏州晶体管采购MOS晶体管全名叫做MOSFET（Metal oxide semiconductor field effect transistor）。
有这么几种常用的晶体管，市面上供货量**多的，使用量比较大的，价格也比较便宜的管子（*供参考哦）。
（1）、2n3904、2n3906
2n3904**N型三极管，而2N3906就是p型三极管。这就是我们在设计电路中用来做控制信号用得**多的三极管。**主要的特点是速度特别的快！相当于我们经常说的的开关管！我们在设计电路的控制部分，只关心信号处理时，在这种情况下，我们就只要2n3904、2n3906这种小功率的三级管。速度比较快在控制过程中比较大的好处就是延时特别少。
第二个特点就是价格特别便宜，一般像这样一个是两到三分钱，特别便宜，就是用几个，加起来就几毛钱，然而如果你用一个冷门的三级管，它一个的价格就要几毛钱了，这就是几倍的关系，那肯定是选择性价比高的。
ST微电子0.25μm SiGe BICMOS 技术中的双极性晶体管设计介绍 *
在ST微电子0.25µm SiGe BICMOS技术(B7RF)中，异质结双极晶体管(HBT)的建模是基于HICUM的。 该模型在要求高集电极电流密度的高频射频应用中特别有用。 这种紧凑和可扩展的模型比改进的Spice Gummel-Poon模型具有更高的精度，并考虑了自热效应。
典型的高压HBT的频率转换和电流增益β AC 如图1所示。 柯克效应（Kirk effect）的影响在右边灰色地方可以看到，结果产生强f T ，以及在高偏置水平下β增益的崩溃。 从物理的角度来看，这种影响是由于基极深度的增加（基/集电极结向下移动），这与载流子注入相反。
单结晶体管因为具有两个基极，故单结晶体管又称为双基极晶体管。
MOS晶体管
MOS晶体管全名叫做MOSFET（Metal oxide semiconductor field effect transistor），翻译为中文就是，金属氧化物半导体场效应晶体管这个名字听起来比较绕，比较奇怪，为什么要这么起名字呢？
如下图所示MOS管的结构图和等效图，**上边的栅极（Gate）一般都是由金属（Metal）做的，中间的绝缘层一般是由氧化层SiO2（Oxide）做的，**下边是半导体材料（semiconductor）。至于FET，场效应，就是电场控制电子的意思。
图1 MOS晶体管的结构图（左）和等效图（右）
首先看左边的结构图，图中下半部分是P型半导体（如图中的P-body），其中含有大量的空穴，而左上角和右上角带颜色的N+，是重掺杂的N型半导体，含有更大量的自由电子。接下来继续拟人化描述。
其中，两块带颜色的N+区是一个国家。左边的N+区是一块飞地，而右边的N+区，是本土大陆，飞地的自由电子常年在外，想从飞地（也就是左边的N+区）通过P-body国家，回到本土大陆（也就是右边的N+区）。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。湖南晶体管销售代理
能够小型化非常关键，晶体管带来了微电子的**变化。Brattain所制作的晶体管是所有晶体管的基础。长沙型号晶体管
什么是三极管？
三极管，全称为半导体三极管、双极型晶体管或者晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的**元件。晶体三极管是一种三端器件，内部含有两个相距很近的PN结（发射结和集电结），两个PN结加上不同极性、不同大小的偏置电压时，晶体三极管呈现不同的特性和功能。
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