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晶体管基本参数
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晶体管企业商机

芯片有数十亿个晶体管,光刻机多久能做好一枚芯片?    *


芯片有数十亿晶体管,光刻机多久能做好一枚芯片?***算明白了


芯片作为手机以及电脑等电子设备之中必备的一项装置,同时也在这些设备的运行之中发挥着关键性的作用,我们无论是正常的工作,还是日常的生活,基本上都是离不开这些设备作为支撑的,然而对于芯片的构成以及制造过程,我们却是鲜有了解。


然而近些年由于国外市场在芯片领域对我国的打压,我国各大企业面临着一定的芯片危机,尤其是华为集团,面临着较大的压力,由于大家讨论频繁,对于芯片我们也多了一些了解,至少知道了芯片的组成部分包括晶体管,也了解了芯片的制造需要用到芯片级这一设备。


那么一个芯片之中有着数十亿个晶体管,光刻机需要多久的时间才能够做好一枚芯片呢?这就需要专业的人员来为我们进行解答了。



放大功能是晶体三极管的主要功能。成都双极型晶体管

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图3 晶体三级管的内部工作原理


换句话说,为了让晶体管工作,只需要设计一种外部电路,使基极-发射极间的电流流动就可以了。晶体管都有一个箭头方向,我们可以理解为晶体管的基极-发射极之间加入了一个二极管,而箭头的方向就是二极管的方向,如下图4所示。


当晶体管进行工作时(基极和发射极之间有电流的流动,NPN型是从基极流向发射极,PNP型是从发射极流向基极),基极-发射极间的压降与二极管的压降相同,为0.6~0.7V。也就是说,在设计电路时,只要使晶体管的基极-发射极间的电压设为Vbe>=0.6V,使基极-发射极之间的二极管导通,这样三极管基极-发射极之间就有电流流动,然后再对电路的其他部分进行计算就可以了。



宁波电路晶体管单结晶体管的伏安特性,是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue。

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单个晶体管的成本收益预测    *


学习曲线,甚至比摩尔定律更为重要,图一是单个晶体管的成本收益学习曲线。自1954 年以来,单个晶体管的收益与可预测学习曲线强相关。在摩尔定律之前,学习曲线为半导体行业提供了一盏指路明灯。德州仪器将其用于战略指定,并与波士顿咨询集团 ( Boston Consulting Group ) 共享数据,后者出版了一本名为《经验展望》( Perspectives on Experience ) 的书。在锗硅分立晶体管时代,像TI 这样的公司可以利用学习曲线,根据生产的**00 个元器件的实际成本,来预测生产10 万个元器件后的单位成本。然后,可以对特定的晶体管元器件进行亏本定价,以获得**的市场份额,当销量达到未来的高单位时,可以实现更高的盈利能力和市场影响力。学习曲线并不是由德州仪器创造的,早于晶体管发明,它在1852 年就被开发出来,被用于航空等行业,当飞机数达到一定量后,就可以用其来预测每架飞机的成本。德州仪器将其引入半导体领域,它利用学习曲线在新元件生命周期早期指导定价策略。



Foundry 是怎么做的呢? 大体上分为以下几步:


首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)


图片按照生产步骤排列 . 但是步骤总结单独写出 .


1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)


2、光刻(用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样 . 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案 . 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆 . )


3、 离子注入(在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度 / 位置的不同就组成了场效应管 .)


该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程,制作出晶体管和集成电路。

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当芯片设计好了之后,就要制造出来,晶体管就是在晶圆上直接雕出来的,晶圆越大,芯片制程越小,就能切割出更多的芯片,效率就会更高。


举个例子,就好像切西瓜一样,西瓜更大的,但是原来是切成 3 厘米的小块,现在换成了 2 厘米,是不是块数就更多。所以现在的晶圆从 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸到现在 16 寸大小。


制程这个概念,其实就是栅极的大小,也可以成为栅长,它的距离越短,就可以放下更多的晶体管,这样就不会让芯片不会因技术提升而变得更大,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小。但是我们如果将栅极变更小,源极和漏极之间流过的电流就会越快,工艺难度会更大。


芯片制造共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化。


单结晶体管有三个电极,分别称为***基极b1、第二基极b2、发射极e。宁波电路晶体管

金属半导体场效应晶体管(MESFET)之所以被称为这个名称是因为栅极接触是由金属 - 半导体结形成的。成都双极型晶体管

下面的分析*对于NPN型硅晶体管三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。


三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。


如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。


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深圳市凯轩业科技有限公司成立于2015-10-12,是一家贸易型的公司。公司业务分为[ "二三极管", "晶体管", "保险丝", "电阻电容" ]等,目前不断进行创新和服务改进,为客户提供质量的产品和服务。公司将不断增强企业核心竞争力,努力学习行业先进知识,遵守行业规范,植根于电子元器件行业的发展。公司自成立以来发展迅速,业务不断发展壮大,年营业额度达到200-300万元,未来我们将不断进行创新和改进,让企业发展再上新高。

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