我们可以简单地从微观上讲解这个步骤。
在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，***后留下的图案和掩模上的一致。
“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。
***光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部***后就可以看到设计好的电路图案。
而100多亿个晶体管就是通过这样的方式雕刻出来的，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。
晶体管越多就可以增加处理器的运算效率；再者，减少体积也可以降低耗电量；***，芯片体积缩小后，更容易塞入行动装置中，满足未来轻薄化的需求。
场效应管与晶体管的比较!北京NPN晶体管
晶体管内部载流子的运动=0时，晶体管内部载流子运动示意图如下图所示。
1．发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流
因为发射结加正向电压，发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。与此同时，空穴也从基区向发射区扩散，由于基区杂质浓度低，空穴形成的电流非常小，忽略不计。可见，扩散运动形成了发射极电流。
2．扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流由于基区很薄，杂质浓度很低，集电结又加反向电压，所以扩散到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，其余部分均作为基区的非平衡少子达到集电结。又由于电压的作用，电子与空穴的复合运动将源源不断进行，形成基极电流。
3．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流由于集电结加反向电压且其结面积较大，基区的非平衡少子在外电场作用下越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在集电极电源的作用下，漂移运动形成集电极电流 成都双极型晶体管晶体管因为有以下的优点，因此可以在大多数应用中代替真空管！
HEMT在文献中有时被称为异质结构FET 或异质结FET（HFET），甚至是调制掺杂FET（MODFET），但它们都是高电子迁移率场效应晶体管（HEMTs），因为它们在不同类型的半导体之间具有异质结，这增加了载流子在沟道中的迁移率。假晶HEMT（pHEMT）使用极薄的不同半导体层[通常为铟镓砷（InGaAs）]，其应变为周围半导体（通常为AlGaAs）的晶格常数，形成假晶层（具有AlGaAs晶格尺寸的InGaAs层）;这样就可以获得InGaAs增强的电子传输特性，同时仍然在GaAs衬底上制造出完整的MMIC 。变质（metamorphic）HEMT（mHEMT）具有更高迁移率的半导体层，例如InP，在其表面上生长，具有其自身的自然晶格常数。为实现这一目标，GaAs衬底的晶格常数必须通过外延层逐渐改变为InP 。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，是电子电路的**元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
1、三极管的工作原理
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们*以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
***看晶体管的集电极，在电子管的位置就叫做阳极。
一、台积电5nm芯片每平方毫米晶体管数量达1.713亿
作为全球比较大的**代工企业，台积电的客户覆盖了苹果、高通和华为等众多重要芯片及移动终端厂商。但无论为哪家客户提供芯片代工服务，工艺中都有一个不变的原则——芯片晶体管越多，其功率和能效就越高。
简单地说，芯片代工厂所使用的工艺节点与特定面积内（如平方毫米）的晶体管数量有关。
例如，当前使用7nm工艺生产的芯片，包括苹果A13、高通骁龙865和华为麒麟990，它们的晶体管密度约为每平方毫米1亿个晶体管。其中，苹果公司可在每颗A13芯片中填充85亿个晶体管。
而台积电的5nm芯片晶体管密度为每平方毫米1.713亿个晶体管，这将使苹果的5nm芯片A14 Bionic能够拥有150亿个晶体管，性能提升10%-15%，能耗降低25%-30%。
实际上，晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。这是英特尔创始人之一戈登•摩尔在上世纪60年代提出的理论，他认为集成电路上可容纳的晶体管数量，每隔18至24个月就会增加一倍，性能也将提升一倍。
近年来，随着制程工艺技术逐渐接近物理天花板，也出现了“摩尔定律已死”的观点。但目前看来，这一定律仍在极其缓慢地发展中。
这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢？四川晶体管现货
单结晶体管的内部结构、等效电路、图形符号如图1所示。北京NPN晶体管
晶体管密度惊人！台积电3nm细节曝光：2.5亿晶体管/mm 能耗性能大幅提升 *
台积电首席执行官确认3nm节点的开发正在按计划进行，计划于2021年进行风险生产，并于2022年下半年开始批量生产。此外，台积电决定3nm采用FinFET晶体管技术。
性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm较5nm性能提升7%，能耗提升15%。
3nm制程是半导体产业历年比较大手笔投资，更是**争霸的关键战役。据了解，台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币，约合500亿美元，光是建厂就至少200亿美元了。
北京NPN晶体管
深圳市凯轩业科技有限公司创办于2015-10-12，是一家贸易型的公司。经过多年不断的历练探索和创新发展，是一家有限责任公司企业，随着市场的发展和生产的需求，与多家企业合作研究，在原有产品的基础上经过不断改进，追求新型，在强化内部管理，完善结构调整的同时，优良的质量、合理的价格、完善的服务，在业界受到***好评。公司始终坚持客户需求***的原则，致力于提供高质量的[ "二三极管", "晶体管", "保险丝", "电阻电容" ]。凯轩业电子将以真诚的服务、创新的理念、***的产品，为彼此赢得全新的未来！
