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晶体管基本参数
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晶体管企业商机


可以说,在晶圆制造中,直径 30 厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间,由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月,经过成百上千道工序,**终集成了海量的微小电子器件,经切割、封装,成为信息社会的基石——芯片。


这是一个 Top-down View 的 SEM 照片,可以非常清晰的看见 CPU 内部的层状结构,越往下线宽越窄,越靠近器件层。


这是 CPU 的截面视图,可以清晰地看到层状的 CPU 结构,由上到下有大约 10 层,其中**下层为器件层,即是 MOSFET 晶体管。


MOS晶体管全名叫做MOSFET(Metal oxide semiconductor field effect transistor)。温州电子管晶体管

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这就是Brattain和Bardeen在1947年12月份发明的点接触三极管装置。


他们在三极管的左边接入一个麦克风,在右边回路接入一个音箱。他们对着麦克风说话,可以观察到音箱中出现被放大了的声音。


Brattain在实验室的工作笔记中写道:这个电路将声音进行了放大,可以在示波器上被观察到,也可以被听到。



放大功能是晶体三极管的主要功能。比如我们的手机,它接收到来自附近手机信号发送接收基站的微弱信号,手机中的电路将信号放大解调后,形成可以收听的声音。


这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢?其中关键之处在于塑料三角形与锗块接触的这一小的区域。


珠海双极型晶体管高电子迁移率晶体管(HEMT)与任何其他FET一样工作。

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FinFet晶体管


平面晶体管主导了整个半导体工业很长一段时间。但随着尺寸愈做愈小,传统的平面晶体管出现了短通道效应,特别是漏电流,这类使得元件耗电的因素。尤其是当晶体管的尺寸缩小到25nm以下,传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。在这种情况下,FinFET出现了。FinFET也被称为鳍式场效应晶体管,这是一种立体的场效应管。FinFET的主要是将场效应管立体化。


第一种FinFET晶体管类型称为“耗尽型贫沟道晶体管”或“ DELTA”晶体管,该晶体管由日立**研究实验室的Digh Hisamoto,Toru Kaga,Yoshifumi Kawamoto和Eiji Takeda于1989年在日本***制造。但目前所用的FinFet晶体管则是由加州大学伯克利分校胡正明教授基于DELTA技术而发明,属于多闸极电晶体。



左边引起电流波动的信号可能来自麦克风电压信号。在1947年的晶体管组成的放大电路可以将音频信号的功率增加35分贝。


Westen Electric 公司在1951年开始批量生产这种点接触式晶体三极管。这种晶体管的一个巨大缺点就是可靠性差,有的晶体会会突然失效。从制作工艺角度来看,这种结构有着先天不足,它是三维立体结构。


***个晶体管原理图和外观--**手工打造的三极管


由此,物理学家开始考虑如何能够将器件从三维结构改变成二维的结构。多年之后,包括Westen Electric, RCA,GE等公司开发出结型二维晶体三极管。这种晶体管的性能超过了**早的点接触型的晶体三极管。


金属半导体场效应晶体管(MESFET)之所以被称为这个名称是因为栅极接触是由金属 - 半导体结形成的。

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三极管(BJT管),也称为双性型晶体管

三极管是一个人丁兴旺的“大家族”,其人员众多。因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”。电路中的很多元件都是为三极管服务的,比如电阻、电容等。有必要和大家对三极管进行一下剖析,下面让我们看看三极管的“庐山真面目”。三极管也有三条腿,并且这三条腿不能相互换用,不像MOS管那样其源极(S)和漏极(D)在一定条件下还可以换用的(低频的结型管可以互换)。从图中我们也可以看到,三极管也是有两个PN结构成。我们以NPN型三极管为例来说明这个问题,分别从三个半导体基座中引出三个极,我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极。这三个端子的相互作用是,通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小,由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件。


单结晶体管的伏安特性,是指在单结晶体管的e、b1极之间加一个正电压Ue。双极型晶体管价格

Westen Electric 公司在1951年开始批量生产这种点接触式晶体三极管。温州电子管晶体管

二极管,三极管,MOS管,晶体管联系,区别_电子元器件    *


二极管、三极管、场效应管都是半导体器件,在电子电路中担任着十分重要的作用,现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。

场效应管(MOS管)

我先说说MOS(场效应管)管,MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型(或者N型)半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极(G)。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道,栅极(G)和源极(S)和漏极(D)是不导电的,所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管,这个器件的名字就是这样的来的。


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